| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2018 | Зависимость коэффициента усиления биполярного n–p–n-транзистора от параметров легированных областей и содержания технологических примесей | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2019 | Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2019 | Зависимость коэффициента усиления биполярного транзистора от параметров ионно-имплантированных областей эмиттера и базы | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Пилипенко, В. А.; Просолович, В. С.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2020 | Зондовые зарядочувствительные методы в технологическом контроле производства больших интегральных схем | Тявловский, К. Л.; Тявловский, А. К.; Гусев, О. К.; Воробей, Р. И.; Жарин, А. Л.; Свистун, А. И.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н. |
| 2016 | Исследование влияния технологических примесей на величину прямого тока потенциальных барьеров биполярного n–p–n-транзистора | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.; Лановский, Р. А. |
| 2018 | Исследование влияния технологических примесей на вольт-амперные характеристики биполярного n–p–n-транзистора | Оджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шведов, С. В.; Филипеня, В. А.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2016 | Исследование методом электротепловой спектрометрии деградации структуры теплового сопротивления транзисторов КП7209 в корпусе ТО-254 при воздействии высокоинтенсивных термоударов | Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Кононенко, В. К.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Рубцевич, И. И. |
| 2010 | ИССЛЕДОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ В ПЛАСТИНАХ БЕЗДИСЛОКАЦИОННОГО МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ, ПОДВЕРГНУТЫХ БЫСТРОМУ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНОМУ ОТЖИГУ | Просолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Янковский, Ю. Н.; Васильев, Ю. Б.; Петлицкий, А. Н.; Плебанович, В. И.; Простомолотов, А. И.; Верезуб, Н. А.; Меженный, М. В.; Резник, В. Я. |
| 2018 | Исследования изменений теплового сопротивления мощных МОП транзисторов при термоиспытаниях | Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А. |
| 2022 | Контроль качества полупроводниковых материалов и приборных структур с использованием измерительной установки СКАН-2019 | Жарин, А. Л.; Тявловский, А. К.; Тявловский, К. Л.; Воробей, Р. И.; Пантелеев, К. В.; Микитевич, В. А.; Пилипенко, В. А.; Петлицкий, А. Н. |
| 2018 | Материалы микро- и наноэлектроники №Уд-6213/уч. | Петлицкий, А. Н.; Людчик, О. Р. |
| 2019 | Материалы опто-, микро- и наноэлектроники : учебная программа учреждения высшего образования по учебной дисциплине для специальности: 1-31 80 07 Радиофизика. № УД-7552/уч. | Петлицкий, А. Н.; Людчик, О. Р. |
| 2016 | Методика электротепловой спектрометрии для исследования малых изменений теплового сопротивления полупроводниковых приборов при термоиспытаниях | Бумай, Ю. А.; Васьков, О. С.; Кононенко, В. К.; Нисс, В. С.; Керенцев, А. Ф.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А. |
| 2023 | Моделирование влияния процессов генерации-рекомбинации на подвижность электронов в кремнии | Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Петлицкий, А. Н. |
| 2022 | Моделирование отклика тока кремниевого фотодиода с p–n-переходом на воздействие импульсов лазерного излучения | Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Буйновский, Д. Н.; Петлицкий, А. Н. |
| 2023 | Моделирование фотоотклика в кремниевых фотодиодах с p-n-переходом и pin-структурой | Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Петлицкий, А. Н. |
| 2021 | Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодов | Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2023 | Особенности изменения барьерной ёмкости p-i-n-фотодиодов при облучении γ-квантами 60Сo | Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Точилин, Е. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н. |
| 2023 | Распознавание объектов на рентгеновских цифровых изображениях с низким контрастом | Трапенок, Н. В.; Кольчевская, И. Н.; Косенко, А. Д.; Мозгалёв, С. В.; Петлицкий, А. Н.; Дудчик, Ю. И.; Кольчевский, Н. Н. |
| 2008 | Рекомбинационные свойства кремния, облученного ионами гелия | Тарасик, М. И.; Петлицкий, А. Н.; Соловьев, Я. А.; Федотов, А. К.; Янченко, А. М. |
