Просмотр Авторы Мурин, Л. И.
Результаты 20 - 30 из 30
< предыдущий
Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2021 | О природе водородосодержащего дефекта с уровнем Е(-/+) = Ес-0.075 эВ в облученном кремнии | Медведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Фадеева, Е. А.; Мурин, Л. И. |
| 2021 | Образование вакансионно-кислородных центров VO5 и VO6 в кристаллах кремния при радиационно-термических обработках | Толкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И. |
| 2007 | Образование и отжиг радиационных дефектов в кристаллах n-Si, содержащих медь | Медведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И. |
| 2016 | Основные закономерности влияния температуры облучения и положения уровня Ферми на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии n-типа | Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Гуринович, В. А. |
| 2017 | Особенности отжига Е-центров (комплексов вакансия-фосфор) в облученных кристаллах кремния с различным примесно-дефектным составом | Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П. |
| 2012 | ОСОБЕННОСТИ ОТЖИГА КОМПЛЕКСОВ BiOi В p-Si ПРИ ИНЖЕКЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕ | Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Гуринович, В. А.; Кульгачев, В. И. |
| 2016 | Особенности отжига межузельных атомов углерода в кремнии р-типа | Ластовский, С. Б.; Якушевич, А. С.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П. |
| 2001 | Отжиг комплексов вакансия - фосфор в облученных кристаллах Si | Медведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П. |
| 2018 | Радиационно-индуцированное формирование кислородных тримеров в кремнии: данные ИК-поглощения | Толкачева, Е. А.; Мурин, Л. И. |
| 2011 | ХАРАКТЕРИСТИКИ МЕЖДОУЗЕЛЬНЫХ РЕАКЦИЙ В КРЕМНИИ И КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ СПЛАВАХ, ОБЛУЧЕННЫХ АЛЬФА-ЧАСТИЦАМИ | Макаренко, Л. Ф.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И. |
| 2008 | Электрически активные дефекты, содержащие вакансии и атомы кислорода в облученных кристаллах германия | Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Литвинов, В. В. |