Logo BSU

Просмотр Авторы Мурин, Л. И.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 20 - 30 из 30 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2021О природе водородосодержащего дефекта с уровнем Е(-/+) = Ес-0.075 эВ в облученном кремнииМедведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Фадеева, Е. А.; Мурин, Л. И.
2021Образование вакансионно-кислородных центров VO5 и VO6 в кристаллах кремния при радиационно-термических обработкахТолкачева, Е. А.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.
2007Образование и отжиг радиационных дефектов в кристаллах n-Si, содержащих медьМедведева, И. Ф.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.
2016Основные закономерности влияния температуры облучения и положения уровня Ферми на эффективность образования радиационных дефектов в кремнии n-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Гуринович, В. А.
2017Особенности отжига Е-центров (комплексов вакансия-фосфор) в облученных кристаллах кремния с различным примесно-дефектным составомМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2012ОСОБЕННОСТИ ОТЖИГА КОМПЛЕКСОВ BiOi В p-Si ПРИ ИНЖЕКЦИОННО-ТЕРМИЧЕСКОЙ ОБРАБОТКЕЛастовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Гуринович, В. А.; Кульгачев, В. И.
2016Особенности отжига межузельных атомов углерода в кремнии р-типаЛастовский, С. Б.; Якушевич, А. С.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2001Отжиг комплексов вакансия - фосфор в облученных кристаллах SiМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2018Радиационно-индуцированное формирование кислородных тримеров в кремнии: данные ИК-поглощенияТолкачева, Е. А.; Мурин, Л. И.
2011ХАРАКТЕРИСТИКИ МЕЖДОУЗЕЛЬНЫХ РЕАКЦИЙ В КРЕМНИИ И КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ СПЛАВАХ, ОБЛУЧЕННЫХ АЛЬФА-ЧАСТИЦАМИМакаренко, Л. Ф.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.
2008Электрически активные дефекты, содержащие вакансии и атомы кислорода в облученных кристаллах германияМаркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Литвинов, В. В.