Logo BSU

Просмотр Авторы Луценко, Е. В.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 20 из 39  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2004Акустооптическая модуляция света в условиях френелевского отражения от усиливающего слояКовчур, С. Н.; Кулак, Г. В.; Луценко, Е. В.; Ропот, П. И.
2021Влияние плотности дефектов упаковки на люминесцентные характеристики структур оптически накачиваемых лазеров на основе Cd(Zn)Se квантовых точек, излучающих в желто-зеленой области спектраВойнилович, А. Г.; Павловский, В. Н.; Шуленкова, В. А.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.; Гронин, C. В.; Климко, Г. В.; Сорокин, C. В.; Седова, И. В.; Иванов, С. В.
2021Влияние шероховатости поверхности на лазерные свойства InGaN/GaN гетероструктур, выращенных на кремнииДанильчик, А. В.; Нагорный, А. В.; Павловский, В. Н.; Луценко, Е. В.
2010Генерация AlGaN МКЯ гетероструктур в дальней ультрафиолетовой области спектра при оптическом возбужденииЛуценко, Е. В.; Тарасюк, Н. П.; Ржеуцкий, Н. В.; Данильчик, А. В.; Яблонский, Г. П.; Жмерик, В. Н.; Мизеров, А. М.; Ситникова, А. А.; Яговкина, М. А.; Копьев, П. С.; Иванов, С. В.
2010Генерация и внутренние лазерные характеристики оптически накачиваемых лазеров с активной областью из множественных тунельно-связанных вставок ZnCdSeЛуценко, Е. В.; Войнилович, А. Г.; Тарасюк, Н. П.; Яблонский, Г. П.; Сорокин, С. В.; Седова, И. В.; Гронин, С. В.; Иванов, С. В.
2010Динамика рекомбинации носителей заряда в квантовых точках GaN/AlNАлександров, И. А.; Журавлев, К. С.; Луценко, Е. В.; Ржеуцкий, Н. В.; Яблонский, Г. П.
2013Интенсивность и поляризация излучения люминесценции слоев AlGaN, выра-щенных на сапфировой подложке с использованием буферных слоев и сверхрешетокЛуценко, Е. В.; Ржеуцкий, Н. В.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.; Нечаев, Д. В.; Ситникова, A. А.; Кириленко, Д. А.; Кузнецова, Я. В.; Ратников, В. В.; Торопов, А. А.; Шевченко, Е. А.; Жмерик, В. Н.; Иванов, С. В.
2010Использование лазеров и светодиодов для определения характеристик солнечных элементовЛуценко, Е. В.; Войнилович, А. Г.; Ржеуцкий, Н. В.; Свитенков, И. Е.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.
2021Исследование импульсных характеристик лазерных диодов в режиме модуляции тока накачкиАфоненко, А. А.; Воропай, Е. С.; Ермалицкий, Ф. А.; Луценко, Е. В.; Радько, А. Е.; Ржеуцкий, Н. В.
2002Лабораторный практикум "физика полупроводниковых источников излучения"Гурский, А. Л.; Луценко, Е. В.; Манак, И. С.
2015Лазерные характеристики гетероструктур A2B6 с одной вставкой квантовых точек Cd(Zn)Se/ZnSe в расширенном оптическом волноводе.Войнилович, А. Г.; Павловский, В. Н.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.; Сорокин, С. В.; Седова, И. В.; Гронин, С. В.; Климко, Г. В.; Иванов, С. В.
2015Люминесценция гетероструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN, выращенных в различных условиях.Ржеуцкий, Н. В.; Луценко, Е. В.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.; Сахаров, А. В.; Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Николаев, А. Е.; Цацульников, А. Ф.
2023Моделирование normaly-off HEMT-транзистора на основе гетероструктур AlGaN/AlN/GaNШохонов, Д. А.; Луценко, Е. В.
2000Модовая структура излучения лазеров с поперечной оптической накачкой на гетероструктурах ZnMgSSe/ZnSeЛуценко, Е. В.; Павловский, В. Н.; Гурский, А. Л.; Зубелевич, В. З.; Марко, И. П.; Яблонский, Г. П.; Kalisch, H.; Heuken, M.; Heime, K.
2017Молекулярно лучевая эпитаксия, оптические и электрические свойства гетероструктур AlGaN для транзисторов, фотоприемных и светоизлучающих устройствЛуценко, Е. В.; Ржеуцкий, И. В.
2023Молекулярно-пучковая эпитаксия, фотолюминесцентные, электрические и топологические свойства слоев GaN и AlGaN, легированных Si и MgЛуценко, Е. В.; Войнилович, А. Г.; Нагорный, А. В.; Шохонов, Д. А.; Урманов, Б. Д.; Шуленкова, В. А.; Микулич, В. В.; Яблонский, Г. П.
2006Оптически накачиваемые низкопороговые высокоэффективные лазеры с активной областью из CDSE квантовых точекЛуценко, Е. В.; Войнилович, А. Г.; Тарасюк, Н. П.
сен-2007Оптические свойства гетероструктур с активной областью Cd(Zn)Se/ZnSe, излучающих в зеленом диапазоне спектраВойнилович, А. Г.; Луценко, Е. В.; Зубелевич, В. З.; Данильчик, А. В.; Тарасюк, Н. П.; Павловский, В. Н.; Яблонский, Г. П.; Седова, И. В.; Сорокин, С. В.; Торопов, А. А.; Иванов, С. В.; Копьев, П. С.; Манак, И. С.
2015Оптическое усиление в InGaN/GaN электролюминесцентных гетероструктурах, выращенных на кремниевых подложках.Данильчик, А. В.; Ржеуцкий, Н. В.; Павловский, В. Н.; Луценко, Е. В.; Яблонский, Г. П.
2004Оптическое усиление в гетероструктурах с квантовыми ямами и дисками InGaN/GaN, CdSe/ZnMgSSeЛуценко, Е. В.; Данильчик, А. В.; Войнилович, А. Г.; Dikme, Y.; Kalisch, H.; Jansen, R. H.; Schineller, B.