Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Ластовский, С. Б.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 20 из 51  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2010Барьер для миграции собственных междоузельных атомов в кремнии, легированном боромМакаренко, Л. Ф.; Молл, М.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.
2022Влияние γ-облучения на электрофизические параметры p–i–n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Тарасик, М. И.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2003Влияние гамма-излучения на накопление заряда в МОП-структурах при различных условияхБогатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Кульгачев, В. И.
2022Влияние гамма-квантов на темновой ток кремниевых фотоумножителей с оптической изоляцией ячеекОгородников, Д. А.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Лемешевская, А. М.; Цымбал, В. С.; Кетько, А. В.; Шпаковский, С. В.
2023Влияние гамма-квантов на характеристики SiФЭУ с оптически изолированными ячейками p+-n-n+-типаОгородников, Д. А.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Лемешевская, А. М.; Цымбал, В. С.
2012ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА СУБМИКРОННЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫБогатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Белоус, А. И.
2007Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:BКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Абросимов, Н. В.
2001Влияние радиационных дефектов на параметры мощных биполярных транзисторных структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Кульгачев, В. И.; Ануфриев, Л. П.; Рубцевич, И. И.; Голубев, Н. Ф.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2018Влияние температуры облучения (Тобл = 80–700 К) быстрыми электронами и γ-квантами 60 Со на эффективность формирования радиационных дефектов в кремнии p-типаМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б.; Фадеева, Е. А.
2019Влияние флюенса ускоренных электронов на парамагнитные свойства НРНТ алмазовАзарко, И. И.; Карпович, И. А.; Игнатенко, О. В.; Коновалова, А. В.; Ластовский, С. Б.; Комар, В. А.
2019Влияние флюенса ускоренных электронов на парамагнитные свойства НРНТ алмазовАзарко, И. И.; Карпович, И. А.; Игнатенко, О. В.; Коновалова, А. В.; Ластовский, С. Б.; Комар, В. А.
2022Влияние электрического поля на образование радиационно-индуцированных центров в кремний-германиевых сплавах p-типа при облучении альфа-частицамиЖданович, Д. Н.; Жданович, Н. Е.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Медведева, И. Ф.; Огородников, Д. А.; Фадеева, Е. А.
1999Влияние электронного облучения на проводимость и емкость кремниевых плавных рп-переходов при 4,2*80 КЛастовский, С. Б.; Гуринович, В. А.; Жданович, Н. Е.; Поклонский, Н. А.; Трощинский, В. Т.
2016Влияние электронного облучения на характеристики кремниевых биполярных транзисторовМолчанов, Д. В.; Ластовский, С. Б.
2008Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В.
2010Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 кКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2022Импеданс барьерных структур переходной металл/n-Si, облученных альфа-частицамиПоклонский, Н. А.; Усенко, К. В.; Ковалев, А. И.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.
2001Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структурПоклонский, Н. А.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Лапаник, А. В.
2014Инжекционный отжиг радиационно-индуцированного комплекса междоузельный бор-междоузельный кислород в кремниевых n+-p диодахЛастовский, С. Б.; Коршунов, Ф. П.; Якушевич, А. С.; Латушко, Я. И.; Макаренко, Л. Ф.
Результаты 1 - 20 из 51  следующий >