Logo BSU

Просмотр Авторы Лапчук, Н. М.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 10 - 29 из 56 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2018Исследование газочувствительных композиций WO3–In2O3 и In2O3–Ga2O3–WO3 методом электронного парамагнитного резонансаГайдук, Ю. С.; Лапчук, Н. М.; Ломоносов, В. А.; Савицкий, А. А.
2016Исследование допированных детонационных наноалмазов (ДНА) методом электронного парамагнитного резонансаДолматов, В. Ю.; Nguyen, B. T. T.; Лапчук, Н. М.; Козлов, А. С.; Островский, В. А.
2021Исследование структурных превращений в облученных быстрыми нейтронами алмазах методами спектроскопии электронного спинового резонанса и комбинационного рассеяния светаПоклонская, О. Н.; Лапчук, Н. М.; Хомич, А. А.; Вырко, С. А.; Олешкевич, А. Н.; Хомич, А. В.; Поклонский, Н. А.
2010Исследование углеродных материалов с магнитоактивными дефектами структуры и разработка принципов создания мазеров на их основе : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. Н. А. ПоклонскийПоклонский, Н. А.; Сягло, А. И.; Вырко, С. А.; Кисляков, Е. Ф.; Лапчук, Н. М.; Поклонская, О. Н.
2012КОМПЬЮТЕРНАЯ СИСТЕМА РЕГИСТРАЦИИ СПЕКТРОВ ЭПРКиранов, В. С.; Адашкевич, С. В.; Лапчук, Н. М.; Стельмах, В. Ф.
14-апр-2010Кристаллография. № ТД-I.347/тип.Лапчук, Н. М.
2014Лабораторная работа «Диагностика алмазного сырья для наноэлектронного приборостроения методом ЭПР»Оджаев, В. Б.; Лапчук, Т. М.; Лапчук, Н. М.; Олешкевич, А. Н.; Макарчикова, К. Г.
ноя-2006Локальное магнитное упорядочение в кремнии, имплантированном высокоэнергетичными ионамиАдашкевич, С. В.; Лапчук, Н. М.; Стельмах, В. Ф.; Федорук, Г. Г.; Шумская, Е. Н.
30-апр-2020Материалы микро- и наноэлектроники: учебная программа УВО по учебной дисциплине для специальности 1-31 04 07 Физика наноматериалов и нанотехнологий. № УД-8399/уч.Лапчук, Н. М.
2017Наноструктурированные пленки TiO2:MoO3 с фотоаккумулирующей функциейСадовская, Л. Ю.; Свиридова, Т. В.; Кокорин, А. И.; Азарко, И. И.; Лапчук, Н. М.; Оджаев, В. Б.; Свиридов, Д. В.
2020Новые аспекты теории и практики синтеза, исследования свойств и применения детонационных наноалмазовДолматов, В. Ю.; Озерин, А. Н.; Кулакова, И. И.; Бочечка, А. А.; Лапчук, Н. М.; Мюллюмаки, В.; Веханен, А.
2014Особенности парамагнетизма имплантированных ионами железа, никеля и сурьмы полимерных пленок промышленного фоторезистаОджаев, В. Б.; Олешкевич, А. Н.; Лапчук, Т. М.; Лапчук, Н. М.; Волобуев, В. С.; Никитенко, А. Н.
2016Особенности парамагнетизма модифицированной лазерным излучением поверхности монокристаллического синтетического алмазаЛапчук, Н. М.; Быковский, Н. Е.; Олешкевич, А. Н.; Лапчук, Т. М.; Кобец, А. В.
2018Особенности парамагнетизма спеченных при различных давлениях и температурах порошков детонационного наноалмазаЛеончик, С. В.; Долматов, В. Ю.; Олешкевич, А. Н.; Нгуен Тхи Тхань Бинь; Лапчук, Т. М.; Лапчук, Н. М.
1999Особенности парамагнитных центров в имплантированных алмазахАдашкевич, С. В.; Ерчак, Д. П.; Лапчук, Н. М.; Стельмах, В. Ф.
2016Особенности применения метода ЭПР в области физики, химии, биологии, медицины и геологииЛапчук, Н. М.; Олешкевич, А. Н.; Nguyen, B. T. T.; Лапчук, Т. М.
2022Отжиг парамагнитных дефектов в интервале температур 430–900 °C в образцах ДНА высокой степени очисткиОлешкевич, А. Н.; Долматов, В. Ю.; Лапчук, Т. М.; Лапчук, Н. М.
2016Парамагнетизм водородоподобного центра в поликристаллических пленках CVD алмазаЛапчук, Н. М.; Олешкевич, А. Н.; Nguyen, B. T. T.; Хомич, А. В.; Лапчук, Т. М.
2019Парамагнетизм и структурные свойства облученных ионами фосфора пленок полиэтилентерефталатаОлешкевич, А. Н.; Оджаев, В. Б.; Лапчук, Н. М.; Лапчук, Т. М.; Просолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Неверовская, А. В.; Стародубец, Е. Е.
2019Парамагнетизм и структурные свойства облученных ионами фосфора пленок полиэтилентерефталатаОлешкевич, А. Н.; Оджаев, В. Б.; Лапчук, Н. М.; Лапчук, Т. М.; Просолович, В. С.; Бринкевич, Д. И.; Неверовская, А. В.; Стародубец, Е. Е.