Logo BSU

Просмотр Авторы Коршунов, Ф. П.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 14 - 24 из 24 < предыдущий 
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2008Образование дефектов в запробежной области кремниевых структур, облученных альфа-частицамиМакаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Хиврич, В. И.
2013Образование и отжиг радиационных дефектов в кремниевых и кремний-германиевых структурах, облученных альфа-частицамиМакаренко, Л. Ф.; Пинтилие, И.; Коршунов, Ф. П.
2007Определение остаточных напряжений в поликристаллических покрытиях с использованием модифицированного sin2 методаАлексеева, Т. А.; Злоцкий, С. В.; Коршунов, Ф. П.; Лазарь, А. П.
2012ОСОБЕННОСТИ ПРЯМОЙ ВАХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ N+-P-СТРУКТУР С ТОНКОЙ БАЗОЙ, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИКоршунов, Ф. П.; Марченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2001Отжиг ВТСП материалов Bi(Pb)2223, облученных гамма-квантами СоКоршунов, Ф. П.; Шешолко, В. К.; Гуринович, В. А.
2003Отжиг нелегированного арсенида галлия, облученного гамма-квантами Со60 и быстрыми электронамиКоршунов, Ф. П.; Курилович, Н. Ф.; Прохоренко, Т. А.
2011ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЭЛЕКТРОННО- ОБЛУЧЕННЫХ Mo/n-Si-СТРУКТУРАХ ШОТТКИКоршунов, Ф. П.; Марченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
1999Применение гамма-излучения для регулирования порогового напряжения мощных МОП-транзисторовКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Кульгачев, В. И.; Дударчик, А. И.; Рубцевич, И. И.; Алиев, А. М,
2010Радиационные эффекты в МОП/КНИ структурахКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Карась, В. И.; Малышев, В. С.; Сорока, С. А.; Шведов, С. В.
2001Расчет непрерывных потенциалов каналированных частиц на основе слэтеровских орбиталейКоршунов, Ф. П.; Лазарь, А. П.
2012ТЕРМИЧЕСКАЯ УСТОЙЧИВОСТЬ ДЕФЕКТОВ МЕЖДОУЗЕЛЬНОГО ТИПА В КРЕМНИИ И КРЕМНИЙ-ГЕРМАНИЕВЫХ СПЛАВАХ, ЛЕГИРОВАННЫХ БОРОММакаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Абросимов, Н. В.