Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Коршунов, Ф. П.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 20 из 24  следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2010Барьер для миграции собственных междоузельных атомов в кремнии, легированном боромМакаренко, Л. Ф.; Молл, М.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.
2003Влияние гамма-излучения на накопление заряда в МОП-структурах при различных условияхБогатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Кульгачев, В. И.
2012ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА СУБМИКРОННЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫБогатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Белоус, А. И.
2003Влияние облучения гамма квантами на ВТСП Bi(Pb)2223 c различным содержанием кислородаШешолко, В. К.; Гуринович, В. А.; Коршунов, Ф. П.
2007Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:BКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Абросимов, Н. В.
2001Влияние радиационных дефектов на параметры мощных биполярных транзисторных структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Кульгачев, В. И.; Ануфриев, Л. П.; Рубцевич, И. И.; Голубев, Н. Ф.
2012ВЛИЯНИЕ ТЕМПЕРАТУРЫ ОБЛУЧЕНИЯ (ТОБЛ = 320–580 К) БЫСТРЫМИ ЭЛЕКТРОНАМИ НА ЭФФЕКТИВНОСТЬ ФОРМИРОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИМедведева, И. Ф.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Гусаков, В. Е.
2008Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В.
2013Влияние электронной подсистемы на протекание междоузельных реакций в облученном кремнииПинтилие, Л. И.; Макаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.
1999Деградация транспортного критического тока керамических ВТСП Y123 И Bi(Pb)2223 под действием гамма-облученияКоршунов, Ф. П.; Шешолко, В. К.; Гуринович, В. А.
2010Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 кКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2014Инжекционный отжиг радиационно-индуцированного комплекса междоузельный бор-междоузельный кислород в кремниевых n+-p диодахЛастовский, С. Б.; Коршунов, Ф. П.; Якушевич, А. С.; Латушко, Я. И.; Макаренко, Л. Ф.
1999Использование радиационно-термической обработки для улучшения параметров силовых диодовКоршунов, Ф. П.; Жданович, Н. Е.; Марченко, И. Г.
2008Образование дефектов в запробежной области кремниевых структур, облученных альфа-частицамиМакаренко, Л. Ф.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Хиврич, В. И.
2013Образование и отжиг радиационных дефектов в кремниевых и кремний-германиевых структурах, облученных альфа-частицамиМакаренко, Л. Ф.; Пинтилие, И.; Коршунов, Ф. П.
2007Определение остаточных напряжений в поликристаллических покрытиях с использованием модифицированного sin2 методаАлексеева, Т. А.; Злоцкий, С. В.; Коршунов, Ф. П.; Лазарь, А. П.
2012ОСОБЕННОСТИ ПРЯМОЙ ВАХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ N+-P-СТРУКТУР С ТОНКОЙ БАЗОЙ, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИКоршунов, Ф. П.; Марченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
2001Отжиг ВТСП материалов Bi(Pb)2223, облученных гамма-квантами СоКоршунов, Ф. П.; Шешолко, В. К.; Гуринович, В. А.
2003Отжиг нелегированного арсенида галлия, облученного гамма-квантами Со60 и быстрыми электронамиКоршунов, Ф. П.; Курилович, Н. Ф.; Прохоренко, Т. А.
2011ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В ЭЛЕКТРОННО- ОБЛУЧЕННЫХ Mo/n-Si-СТРУКТУРАХ ШОТТКИКоршунов, Ф. П.; Марченко, И. Г.; Жданович, Н. Е.
Результаты 1 - 20 из 24  следующий >