Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 2019 | Влияние ионизирующего излучения на характеристики приборов полупроводниковой электроники | Мискевич, С. А.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Ювченко, В. Н. |
| 2023 | Влияние облучения электронами с энергией 4 МэВ на рабочие характеристики кремниевых биполярных транзисторов | Мискевич, С. А.; Комаров, А. Ф.; Ювченко, В. Н.; Ермолаев, А. П.; Шпаковский, С. В.; Богатырёв, Ю. В.; Заяц, Г. М. |
| 1985 | Деканалирование ультрарелятивистских электронов в толстых кристаллах при аксиальном каналировании | Комаров, А. Ф. |
| 2012 | Коимплантация атомов амфотерных примесей для управления процессами диффузии бора при быстрых термообработках | Макаревич, Ю. В.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Миронов, А. М.; Заяц, Г. М.; Мискевич, С. А. |
| 2017 | Моделирование влияния проникающих излучений на биполярные и МДП-транзисторы | Мискевич, С. А.; Ювченко, В. Н.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Божаткин, В. А. |
| 2017 | Моделирование воздействия гамма-излучения на биполярные транзисторы | Мискевич, С. А.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Ювченко, В. Н.; Заяц, Г. М.; Божаткин, В. А. |
| 2013 | Моделирование воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения космического пространства на параметры мдп-приборов | Заяц, Г. М.; Комаров, А. Ф.; Мискевич, С. А. |
| 2013 | Моделирование воздействия низкоинтенсивного ионизирующего излучения космического пространства на характеристики мдп-приборов | Заяц, Г. М.; Комаров, А. Ф.; Мискевич, С. А. |
| 2015 | МОДЕЛИРОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ ПОТОКА НЕЙТРОНОВ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ p-n-p БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРОВ | Мискевич, С. А.; Комаров, А. Ф.; Михайлов, В. В.; Заяц, Г. М. |
| 2017 | Моделирование воздействия рентгеновских и гамма-квантов на характеристики МОП-транзисторов | Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Ювченко, В. Н.; Мискевич, С. А. |
| 2013 | Моделирование высококонцентрационной диффузии фосфора в кристаллическом кремнии | Величко, О. И.; Аксенов, В. В.; Ануфриев, Л. П.; Голубев, Н. Ф.; Комаров, А. Ф. |
| 2023 | Моделирование генерации дополнительных носителей заряда в кремниевых структурах при облучении тяжелыми ионами высоких энергий | Ювченко, В. Н.; Комаров, А. Ф.; Мискевич, С. А.; Ермолаев, А. П. |
| 2011 | МОДЕЛИРОВАНИЕ ДИФФУЗИИ ИМПЛАНТИРОВАННЫХ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУРАХ В ПРОЦЕССЕ БЫСТРЫХ ТЕРМООБРАБОТОК | Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Миронов, А. М. |
| 2007 | Моделирование диффузии мышьяка в системе SiO2/Si при низкоэнергетической имплантации и коротком термическом отжиге | Величко, О. И.; Заяц, Г. М.; Комаров, А. Ф.; Миронов, A. M.; Цурко, В. А. |
| 2019 | Моделирование изменений рабочих характеристик p-МОП транзисторов при воздействии рентгеновского и гамма-излучения | Ювченко, В. Н.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М.; Мискевич, С. А. |
| 2015 | МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССА ВЫСОКОДОЗНОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ДВУХ ТИПОВ ИОНОВ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ КВАНТОВЫХ ТОЧЕК СОЕДИНЕНИЙ A3B5 В КРЕМНИИ | Комаров, А. Ф.; Михайлов, В. В.; Мискевич, С. А. |
| 2021 | Моделирование радиационных изменений рабочих характеристик биполярных структур | Мискевич, С. А.; Комаров, А. Ф.; Комаров, Ф. Ф.; Ювченко, В. Н.; Заяц, Г. М. |
| 2020 | Моделирование радиационных эффектов в полевых и биполярных структурах | Мискевич, С. А.; Ювченко, В. Н.; Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Заяц, Г. М. |
| 2001 | Моделирование технологических процессов и приборных структур в микро- и наноэлектронике | Комаров, Ф. Ф.; Борздов, В. М.; Комаров, А. Ф.; Жевняк, О. Г.; Галенчик, В. О.; Миронов, A. М. |
| 2011 | Моделирование технологических процессов субмикронной электроники | Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Миронов, А. М.; Заяц, Г. М.; Солодуха, В. А.; Макаревич, Ю. В.; Мискевич, С. А. |