Logo BSU

Просмотр Авторы Ковальчук, Н. С.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 19 из 19
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2022Влияние γ-облучения на электрофизические параметры p–i–n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Горбачук, Н. И.; Ластовский, С. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Тарасик, М. И.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2021Влияние ионной имплантации азота на величину токов сток-исток силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н.
2019Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Челядинский, А. Р.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Шпаковский, С. В.
2020Влияние ионной имплантации азота на электрофизические параметры силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2020Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2020Влияние ионной имплантации азота на электрофизические свойства подзатворного диэлектрика силовых МОП-транзисторовОджаев, В. Б.; Панфиленко, А. К.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2022Влияние термической нагрузки при формировании контактов Al-Al на электрические параметры интегральных микросхем с контактами алюминий-поликремнийПилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Соловьёв, Я. А.; Шестовский, Д. В.; Жигулин, Д. В.
2024Воздействие ультрафиолетового излучения на оптические свойства диэлектриков на основе кремнияПархоменко, И. Н.; Власукова, Л. А.; Камышан, А. С.; Ковальчук, Н. С.; Демидович, С. А.
2022Зарядовые свойства тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом быстрой термообработкиКовальчук, Н. С.; Марудо, Ю. А.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Демидович, С. А.; Колос, В. В.; Анищик, В. М.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2022Исследования электрофизических свойств тонких подзатворных диэлектриков, полученных методом многостадийного быстрого термического отжигаКовальчук, Н. С.; Омельченко, А. А.; Пилипенко, В. А.; Солодуха, В. А.; Демидович, С. А.; Колос, В. В.; Филипеня, В. А.; Шестовский, Д. В.
2024Механизм взаимодействия алюминия с поликремнием при формировании омического контакта методами длительной и быстрой термообработокПилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Анищик, В. М.; Понарядов, В. В.
2021Особенности генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-i-n-фотодиодовОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Филипеня, В. А.; Черный, В. В.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2022Спектры нарушенного полного внутреннего отражения азотированных структур SiO2/SiОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Янковский, Ю. Н.; Бринкевич, Д. И.
2023Формирование границы раздела алюминий – поликремний при воздействии длительного и быстрого термических отжиговПилипенко, В. А.; Ковальчук, Н. С.; Жигулин, Д. В.; Шестовский, Д. В.; Анищик, В. М.; Понарядов, В. В.
2021Электролюминесценция пленок SiO2 на Si, полученных термическим окислением и плазмохимическим осаждениемРоманов, И. А.; Ковальчук, Н. С.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Шестовский, Д. В.; Демидович, С. А.
2021Электролюминесценция пленок SiO[2] на Si, полученных термическим окислением и плазмохимическим осаждениемРоманов, И. А.; Ковальчук, Н. С.; Власукова, Л. А.; Пархоменко, И. Н.; Солодуха, В. А.; Пилипенко, В. А.; Шестовский, Д. В.; Демидович, С. А.
10-сен-2023Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60СоКовальчук, Н. С.; Ластовский, С. Б.; Оджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2022Электрофизические характеристики силовых МОП-транзисторов, дополнительно имплантированных ионами азотаОджаев, В. Б.; Петлицкий, А. Н.; Просолович, В. С.; Ковальчук, Н. С.; Соловьев, Я. А.; Шестовский, Д. В.; Явид, В. Ю.; Янковский, Ю. Н.
2023Эффект резистивного переключения в структурах на базе тонких пленок нитрида кремнияКрупенков, П. А.; Романов, И. А.; Комаров, Ф. Ф.; Ковальчук, Н. С.; Демидович, С. А.