Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Жевняк, О. Г.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 8 - 27 из 43 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2003Интенсивности рассеяния вторичных дырок в N-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторовБорздов, В. Н.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Зезюля, А. В.; Комаров, Ф. Ф.; Малышев, В. С.
2003Интенсивности рассеяния вторичных дырок в w-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторовБорздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Комаров, Ф. Ф.; Зезюля, А. В.
2021Моделирование влияния глубины залегания стока на перенос электронов в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О.
2023Моделирование влияния затворного напряжения на плотность паразитного туннельного тока в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.
2018Моделирование влияния истока и стока на квантование энергии электронов в короткоканальных МОП-транзисторахЖевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О.
2022Моделирование влияния различных механизмов рассеяния на подвижность электронов в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.
2023Моделирование влияния стокового напряжения на форму потенциального барьера в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.
2020Моделирование двумерных распределений подвижности электронов в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О.
2014Моделирование методом Монте-Карло влияния глубины залегания стока на перенос электронов и ток стока в субмикронных МОП-транзисторахЖевняк, О. Г.; Шевкун, И. М.
2011Моделирование методом Монте-Карло подвижности электронов вблизи стока в короткоканальных МОП-транзисторах с мелкими и глубокими стокамиЖевняк, О. Г.
2011Моделирование методом Монте-Карло приборных структур СБИС и УБИСБорздов, В. М.; Борздов, А. В.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сперанский, Д. С.; Комаров, Ф. Ф.
2022Моделирование методом Монте-Карло пространственного распределения энергии электронов в элементах флеш-памятиЖевняк, О. Г.; Борздов, В. М.; Борздов, А. В.; Леонтьев, А. В.
2015Моделирование методом Монте-Карло туннельного тока в субмикронных МОП-транзисторах.Жевняк, О. Г.
2010Моделирование методом Монте-Карло электронного переноса в ультра короткоканальных МОП-транзисторахЖевняк, О. Г.
2006Моделирование переходных процессов в GaAs-квантовой проволоке с учетом уширения энергетических уровнейЖевняк, О. Г.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.
2014Моделирование полевых КНИ-нанотранзисторов : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. БорздовБорздов, В. М.; Жевняк, О. Г.; Борздов, А. В.
22-ноя-2013Моделирование технологий и приборов электроники № УД-604/рЖевняк, О. Г.
2001Моделирование технологических процессов и приборных структур в микро- и наноэлектроникеКомаров, Ф. Ф.; Борздов, В. М.; Комаров, А. Ф.; Жевняк, О. Г.; Галенчик, В. О.; Миронов, A. М.
2020Моделирование туннельного тока в элементах флеш-памяти на основе КНИ-МОП-транзисторовЖевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О.
ноя-2019Моделирование электронного переноса в элементах флеш-памяти при режиме считывания информацииЖевняк, О. Г.; Жевняк, Я. О.
Результаты 8 - 27 из 43 < предыдущий   следующий >