Logo BSU

Просмотр Авторы Галенчик, В. О.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 11 из 11
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2003Влияние дозы и энергии имплантированных ионов бора на перенос электронов в n-канале кремниевых короткоканальных МОП-транзисторовБорздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Зезюля, А. В.; Борздов, А. В.; Малышев, В. С.
2003Интенсивности рассеяния вторичных дырок в N-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторовБорздов, В. Н.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Зезюля, А. В.; Комаров, Ф. Ф.; Малышев, В. С.
2003Интенсивности рассеяния вторичных дырок в w-канале кремниевых субмикронных МОП-транзисторовБорздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Комаров, Ф. Ф.; Зезюля, А. В.
мая-2006Моделирование влияния про­цесса ударной ионизации на перенос электронов в субмикронном МОП-транзистореГаленчик, В. О.; Борздов, А. В.; Сперанский, Д. С.
2006Моделирование переходных процессов в GaAs-квантовой проволоке с учетом уширения энергетических уровнейЖевняк, О. Г.; Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.
2001Моделирование технологических процессов и приборных структур в микро- и наноэлектроникеКомаров, Ф. Ф.; Борздов, В. М.; Комаров, А. Ф.; Жевняк, О. Г.; Галенчик, В. О.; Миронов, A. М.
2000Оценка величины заряда электронов в канале субмикронного МОП транзистораАндреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.
2004Самосогласованное моделирование методом Монте- Карло переноса электронов в гетероструктуре GAAS/ALxGA1-XASБорздов, А. В.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Комаров, Ф. Ф.
2003Самосогласованный расчет электронных состояний в гетероструктурах AlGaAs/GaAsБорздов, А. В.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.
2003Самосогласованный расчет электронных состояний в гетероструктурах AlGaAs/GaAsБорздов, А. В.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.
2002Самосогласованный расчет энергетических уровней в цепочке квантовых ям с одномерным электронным газомБорздов, В. М.; Галенчик, В. О.; Жевняк, О. Г.; Комаров, Ф. Ф.