| Предварительный просмотр | Дата выпуска | Заглавие | Автор(ы) |
| 1994 | О зависимости низкотемпературной подвижности двухмерных электронов инверсионного слоя кремниевого МОП-полевого транзистора от их концентрации | Борздов, В. М.; Жевняк, О. Г. |
| 1989 | О построении оптимальной интервальной оценки среднего времени безотказной работы высоконадежных изделий микроэлектроники | Борздов, В. М. |
| 2022 | О разыгрывании полярного угла рассеяния в модели Ридли методом Монте-Карло | Борздов, В. М.; Борздов, А. В.; Василевский, Ю. Г.; Дзираев, Д. С. |
| 1982 | О тепловом старении поликристаллических резистивных пленок | Борздов, В. М. |
| 2015 | Определение полярного угла рассеяния электронов на ионизированной примеси в полупроводниках методом Монте-Карло. | Борздов, В. М.; Сперанский, Д. С.; Борздов, А. В. |
| 2010 | Оптимизация характеристик диода с холодным катодом на основе массива металлических углеродных нанотрубок | Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М.; Лабунов, В. А. |
| 2012 | ОПТИМИЗАЦИЯ ХАРАКТЕРИСТИК ТРИОДА С ХОЛОДНЫМ КАТОДОМ НА ОСНОВЕ УПОРЯДОЧЕННОГО МАССИВА МЕТАЛЛИЧЕСКИХ ОДНОСТЕННЫХ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК | Поздняков, Д. В.; Борздов, А. В.; Борздов, В. М. |
| 5-дек-2012 | Основы радиоэлектроники : электронный учебно-методический комплекс / В. М. Борздов, О. Г. Жевняк; БГУ, Факультет радиофизики и компьютерных технологий | Борздов, В. М.; Жевняк, О. Г. |
| 22-ноя-2013 | Основы радиоэлектроники № УД-861/р | Борздов, В. М. |
| 22-ноя-2013 | Основы радиоэлектроники № УД-862/р | Борздов, В. М. |
| 7-июл-2009 | Основы радиоэлектроники. №ТД-G.216/тип. | Борздов, В. М. |
| 2000 | Оценка величины заряда электронов в канале субмикронного МОП транзистора | Андреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Галенчик, В. О. |
| 1984 | Оценка временной стабильности тонких пленок β-Ta | Борздов, В. М.; Молофеев, В. М. |
| 1993 | Оценка параметров, влияющих на ток подложки и деградацию МОП-ПТ в режиме разогрева электронов | Андреев, А. Д.; Борздов, В. М.; Дитковский, В. М. |
| 2013 | Построение и программная реализация параллельных алгоритмов для решения задач диффузии примесных атомов и электропереноса носителей заряда в полупроводниковых приборных структурах интегральной электроники : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / научный руководитель В. М. Борздов | Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Ерофеенко, В. Т. |
| 2011 | Провести исследования и разработать программно-математический комплекс комплекс моделирования процессов электромиграции в металлизации субмикронных ИМС : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Молофеев, В. М. | Молофеев, В. М.; Борздов, В. М.; Гопка, А. В.; Поздняков, Д. В. |
| 2010 | Разработать модели и программное обеспечение для расчета характеристик приборов на системах с низкоразмерным электронным газом с размерами активных областей 100-10 нанометров : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Борздов, В. М. | Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Сперанский, Д. С.; Борздов, А. В. |
| 2010 | Разработать физико-математические модели, алгоритмы и программный комплекс для расчета электрических характеристик кремниевых субмикронных моп-транзисторов со структурным каналом : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. Борздов, В. М. | Борздов, В. М.; Поздняков, Д. В.; Жевняк, О. Г.; Сетун, А. Н.; Борздов, А. В.; Сперанский, Д. С. |
| 2018 | Разработка моделей и программного обеспечения для моделирования влияния ионизирующих излучений на электрофизические свойства и электрические характеристики субмикронных КНИ-МОП-транзисторов. По заданию 3.1.02: «Разработка конструктивных элементов в КМОП-КНИ базисе, исследование процессов воздействия ионизирующих излучений: электронов, протонов, нейтронов, рентгеновских и гамма-квантов на характеристики МОП- и биполярной элементной базы интегральных схем на объемном кремнии и КНИ-подложках с помощью физико-математических моделей и лазерной имитации». ГПНИ «Электроника и фотоника» : отчет о научно-исследовательской работе (заключительный) / БГУ ; научный руководитель В. М. Борздов | Борздов, В. М.; Борздов, А. В. |
| 2016 | Разработка нового способа изготовления транзистора со статической индукцией | Лагунович, Н. Л.; Турцевич, А. С.; Борздов, В. М. |
