Logo BSU

  1. Электронная библиотека БГУ
Даты публикации Авторы Заглавия Темы

Просмотр Авторы Богатырев, Ю. В.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 18 из 18
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2003Влияние гамма-излучения на накопление заряда в МОП-структурах при различных условияхБогатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Кульгачев, В. И.
2022Влияние гамма-квантов на темновой ток кремниевых фотоумножителей с оптической изоляцией ячеекОгородников, Д. А.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Лемешевская, А. М.; Цымбал, В. С.; Кетько, А. В.; Шпаковский, С. В.
2023Влияние гамма-квантов на характеристики SiФЭУ с оптически изолированными ячейками p+-n-n+-типаОгородников, Д. А.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Лемешевская, А. М.; Цымбал, В. С.
2012ВЛИЯНИЕ ИОНИЗИРУЮЩЕЙ РАДИАЦИИ НА СУБМИКРОННЫЕ МОП-ТРАНЗИСТОРЫБогатырев, Ю. В.; Коршунов, Ф. П.; Ластовский, С. Б.; Турцевич, А. С.; Шведов, С. В.; Белоус, А. И.
2007Влияние отжига радиационных дефектов на характеристики n+-р- структур на Si1-xGex:BКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.; Абросимов, Н. В.
2001Влияние радиационных дефектов на параметры мощных биполярных транзисторных структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Кульгачев, В. И.; Ануфриев, Л. П.; Рубцевич, И. И.; Голубев, Н. Ф.
2008Влияние электронного облучения при 300 / 800 К на параметры кремниевых p-n-структурКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Маркевич, В. П.; Мурин, Л. И.; Шпаковский, С. В.
2010Изменения параметров кремниевых p-n-структур, облученных быстрыми электронами при температурах 670-720 кКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Карась, В. И.; Ластовский, С. Б.; Мурин, Л. И.; Маркевич, В. П.
2014Исследование защитных свойств экранов на основе композита W-Cu для изделий электронной техники от протонов радиационных поясов ЗемлиЯкушевич, А. С.; Ластовский, С. Б.; Богатырев, Ю. В.; Грабчиков, С. С.; Василенков, Н. А.
2018Моделирование накопления заряда в облученных МОП/КНИ транзисторахОгородников, Д. А.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.
2023Надежность и радиационная стойкость полупроводниковых приборов и интегральных схемБогатырев, Ю. В.
1999Применение гамма-излучения для регулирования порогового напряжения мощных МОП-транзисторовКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Кульгачев, В. И.; Дударчик, А. И.; Рубцевич, И. И.; Алиев, А. М,
2016Радиационное воздействие на параметры счетного триггераБогатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Чеховский, В. А.; Огородников, Д. А.; Темирбулатов, М. С.; Эннс, В. И.
2020Радиационностойкие электронные компоненты для космической техникиБогатырев, Ю. В.; Кетько, А. В.; Ластовский, С. Б.; Лозицкий, Е. Г.; Огородников, Д. А.; Пиловец, С. А.; Шпаковский, С. В.
2020Радиационные эффекты в кремниевых фотоэлектронных умножителяхОгородников, Д. А.; Богатырев, Ю. В.; Кетько, А. В.; Ластовский, С. Б.; Лемешевская, А. М.; Цымбал, В. С.
2010Радиационные эффекты в МОП/КНИ структурахКоршунов, Ф. П.; Богатырев, Ю. В.; Ластовский, С. Б.; Карась, В. И.; Малышев, В. С.; Сорока, С. А.; Шведов, С. В.
2015РАСЧЕТ ЭФФЕКТИВНОСТИ ДОПОЛНИТЕЛЬНОЙ ЗАЩИТЫ МИКРОСХЕМ В МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИХ КОРПУСАХ ОТ ВОЗДЕЙСТВИЯ ПРОТОНОВ КОСМИЧЕСКОГО ПРОСТРАНСТВАЯкушевич, А. С.; Ластовский, С. Б.; Богатырев, Ю. В.
2021Эффективность применения специализированных металлических корпусов для защиты радиоэлектронных компонентов от воздействия протонов радиационных поясов ЗемлиЯкушевич, А. С.; Богатырев, Ю. В.; Василенков, Н. А.; Ластовский, С. Б.; Грабчиков, С. С.; Протопопов, Г. А.; Козюков, А. Е.
Результаты 1 - 18 из 18