Logo BSU

Просмотр Авторы Баталов, Р. И.

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 1 - 12 из 12
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2013Вакуумное осаждение и импульсная модификация тонких пленок Ge на Si. Структура и фотолюминесценцияБаталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Новиков, Г. А.
2003Воздействие импульсного лазерного излучения на слои кремния, имплантированные ионами железаБаязитов, Р. М.; Баталов, Р. И.; Ивлев, Г. Д.; Гацкевич, Е. И.; Dezsi, I.; Kotai, E.
2019Гипердопирование кремния металлическими примесями при ионном облученииБаязитов, Р. М.; Баталов, Р. И.; Файзрахманов, И. А.; Гумаров, А. И.
2017Импульсная лазерная обработка тонкоплёночного германия на полупроводниковых и диэлектрических подложкахБаталов, Р. И.; Баязитов, P. M.; Файзрахманов, И. А.; Ивлев, Г. Д.; Прокопьев, С. Л.; Гацкевич, Е. И.; Князев, М. А.; Гундина, М. А.
2019Использование слабого магнитного поля в мессбауэровских исследованиях сплава 5БДСР, модифицированного мощным ионным пучкомНазипов, Р. А.; Баталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Новиков, Г. А.; Шустов, В. А.; Дулов, Е. Н.
2015МОДИФИКАЦИЯ ЗОННОЙ СТРУКТУРЫ ГЕРМАНИЯ ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПРЯМОЗОННОЙ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ: СОВРЕМЕННОЕ СОСТОЯНИЕ И ПЕРСПЕКТИВЫБаталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Ивлев, Г. Д.
2013Оптическая диагностика лазерно-индуцированных фазовых превращений в тонких плёнках германия на кремнии и диэлектрических подложкахБаталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Файзрахманов, И. А.; Ивлев, Г. Д.; Прокопьев, С. Л.
2019Получение сильно легированных слоев Ge:Sb с использованием ионной имплантации и импульсного ионного отжигаБаталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Новиков, Г. А.
2017Создание методами ионной имплантации и импульсного лазерного отжига композитных слоев Si и GeSi с наночастицами AgБаталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Нуждин, В. И.; Валеев, В. Ф.; Воробьев, В. В.; Осин, Ю. Н.; Ивлев, Г. Д.; Степанов, А. Л.
2017Структура и фотопроводимость сильно легированных слоев Ge:Sb, сформированных на подложках Si и Ge ионным распылением и импульсными обработкамиБаталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Новиков, Г. А.; Файзрахманов, И. А.; Шустов, В. А.; Ивлев, Г. Д.
2006Структура слоев кремния, легированного железом или эрбием, после облучения мощными лазерными импульсамиГайдук, П. И.; Баталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Ивлев, Г. Д.
2011ФОРМИРОВАНИЕ ЗАГЛУБЛЕННЫХ В КРЕМНИИ НАНОКРИСТАЛЛОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СИЛИЦИДОВ ЖЕЛЕЗА И ХРОМАБаталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Нуждин, В. И.