Дизайн чувствительных к видимому свету фотовольтаических ячеек на основе квантовых точек халькогенидов металлов, широкозонных оксидных полупроводников и производных графена : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; рук. Стрельцов, Е. А.

Abstract

Объектом исследования являлись мезопористые пленки TiO2 и ZnO модифицированные наночастицами (НЧ) халькогенидов Pb и Cd, оксидом графена и фотоэлектрохимические процессы в данных электрохимических системах. Цель работы заключалась в разработке коллоидно-химических методов получения и электрохимической характеризации коллоидных НЧ халькогенидов металлов (PbSe, PbS, CdS, CdSe), позволяющих осуществлять варьирование их размера и состава, химическом, электрохимическом и фотохимическом формировании пленочных наногетероструктур на основе халькогенидных НЧ и наноструктурированных пленок широкозонных оксидов, а также пленок частично восстановленного графен-оксида (ЧВГО) для создания чувствительных к видимому свету элементов фотовольтаических преобразователей солнечной энергии.