Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/209839
Заглавие документа: Дрейф и диффузия электронов по трехзарядным точечным дефектам в полупроводниковых кристаллах и диодах : автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Ковалев Александр Игоревич ; Белорусский государственный университет
Авторы: Ковалев, Александр Игоревич
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
01.04.10 – физика полупроводников
Дата публикации: 2018
Издатель: Минск
Аннотация: Цель работы состояла в аналитическом и численном исследовании ионизационного равновесия, электрической проводимости на постоянном токе и квазистатической емкости кристаллических полупроводниковых материалов и диодов с p-n-переходом, содержащих центры локализации (атомы примесей и t-дефекты), в условиях миграции электронов в c-зоне и дырок в v-зоне, а также прыжковой миграции электронов и дырок между центрами локализации.
Аннотация (на другом языке): The goal of this work: analytical and numerical study of ionization equilibrium, screening of external electric field, dc electrical conductivity and capacitance of semiconductor materials and p-n-diodes under the conditions of band-like and hopping migration of electrons and holes.
Доп. сведения: Работа выполнена в Белорусском государственном университете. Научный руководитель - Поклонский Николай Александрович, доктор физико-математических наук, профессор, профессор кафедры физики полупроводников и наноэлектроники Белорусского государственного университета.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/209839
Располагается в коллекциях:Авторефераты кандидатских диссертаций
Авторефераты диссертаций, защищенных в 2018 г. (Д 02.01.16 — физико-математические науки)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Автореферат_Ковалев.pdf885,36 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.