Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/203899| Заглавие документа: | A new technology of fabricating ohmic metal-silicon contacts |
| Авторы: | Senko, S. F. Snitovsky, Yu. P. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2001 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом: материалы IV Междунар. науч. конф., 3-5 окт. 2001 г., Минск. — Мн.: БГУ, 2001. — С. 89 |
| Аннотация: | Results of performing dry cleaning, doping of silicon in BF3+H2 and BF3+H2+CF4 plasma during fabrication of ohmic constants m equipment having the same hardware configuration have been considered based on the concept of a closed manufacturing system |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/203899 |
| ISBN: | 985-445-236-0 |
| Располагается в коллекциях: | 2001. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.