Skip navigation
Главная страница
Вход
Язык
English
русский
ISSN 2519-4437
(online)
Электронная библиотека БГУ
Физический факультет
Даты публикации
Авторы
Заглавия
Темы
Поиск
Поиск:
Вся Электронная библиотека
Физический факультет
Выпускные работы студентов и магистрантов физического факультета
НАУЧНЫЕ ПУБЛИКАЦИИ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
УЧЕБНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ФИЗИЧЕСКОГО ФАКУЛЬТЕТА
запрос
Текущие фильтры:
Название
Автор
Тема
по дате выпуска
Вид документа
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не содержит
Не ID
Название
Автор
Тема
по дате выпуска
Вид документа
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не содержит
Не ID
Начать новый поиск
Добавить фильтры:
Используйте фильтры для уточнения результатов поиска.
Название
Автор
Тема
по дате выпуска
Вид документа
Равно
Содержит
ID
Не равно
Не содержит
Не ID
Результаты 1-10 из 31.
назад
1
2
3
4
далее
Найденные документы:
Предварительный просмотр
Дата выпуска
Заглавие
Автор(ы)
2001
Индуктивная составляющая импеданса облученных электронами полупроводниковых барьерных структур
Поклонский, Н. А.
;
Горбачук, Н. И.
;
Ластовский, С. Б.
;
Лапаник, А. В.
2016
Электрические потери в гетероструктурах Al/SiO2/n-Si, облученных ионами гелия с энергиями 5 МэВ
Поклонский, Н. А.
;
Горбачук, Н. И.
;
Шпаковский, С. В.
;
Во Куанг, Нья
;
Меркулов, В. А.
;
Кирикович, М. К.
;
Скуратов, В. А.
;
Kukharchyk, N.
;
Becker, H.-W.
;
Wieck, A.
2017
Электрическая емкость структур Al/SiO2/n-Si, облученных ионами ксенона с энергиями 166 МэВ
Поклонский, Н. А.
;
Горбачук, Н. И.
;
Шпаковский, С. В.
;
Кирилкин, Н. С.
;
Кирикович, М. К.
;
Wieck, A.
2011
ВЛИЯНИЕ ГЛУБИНЫ ЗАЛЕГАНИЯ РАДИАЦИОННО-НАРУШЕННОГО СЛОЯ НА ОБРАТНЫЕ ТОКИ ДИОДОВ, ОБЛУЧЕННЫХ ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ
Поклонский, Н. А.
;
Горбачук, Н. И.
;
Ермакова, А. В.
2012
ОБРАЗОВАНИЕ СПЛОШНОГО РАДИАЦИОННО-НАРУШЕНННОГО СЛОЯ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВ
Поклонский, Н. А.
;
Горбачук, Н. И.
;
Шпаковский, С. В.
;
Филипеня, В. А.
;
Во Куанг Нья
;
Красицкая, Ю. А.
;
Скуратов, В. А.
;
Боженков, В. В.
2012
ОТЖИГ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИЕВЫХ ДИОДАХ, ОБЛУЧЕННЫХ ИОНАМИ ВИСМУТА С ЭНЕРГИЕЙ 700 МЭВ
Поклонский, Н. А.
;
Горбачук, Н. И.
;
Шпаковский, С. В.
;
Филипеня, В. А.
;
Во Куанг Нья
;
Красицкая, Ю. А.
;
Скуратов, В. А.
;
Ластовский, С. Б.
2013
Диэлектрические потери кремниевых диодов, облученных ионами висмута с энергией 700 МЭВ и ксенона с энергией 170 МЭВ
Поклонский, Н. А.
;
Горбачук, Н. И.
;
Шпаковский, С. В.
2010
Влияние радиационных дефектов на генерационно-рекомбинационные токи и прямое падение напряжения в кремниевых диодах, облученных ионами криптона с энергией 107 МэВ
Поклонский, Н. А.
;
Горбачук, Н. И.
;
Шпаковский, С. В.
;
Филипеня, В. А.
;
Скуратов, В. А.
2010
Индуктивность кремниевых диодов, облученных ионами криптона с энергией 250 МэВ
Поклонский, Н. А.
;
Горбачук, Н. И.
;
Шпаковский, С. В.
;
Филипеня, В. А.
;
Соловьев, Я. А.
;
Скуратов, В. А.
2014
Эквивалентные схемы замещения структуры металл (Al) – диэлектрик (Si3N4) – полупроводник (n-Si) в режимах сильной инверсии и обогащения
Поклонский, Н. А.
;
Горбачук, Н. И.
;
Шпаковский, С. В.
;
Бритько, П. С.
;
Цибулько, П. И.
Просмотр
Автор
25
Шпаковский, С. В.
6
Скуратов, В. А.
5
Wieck, A.
5
Ермакова, Е. А.
5
Филипеня, В. А.
4
Ковалев, А. И.
4
Ластовский, С. Б.
2
Wieck, А.
2
Во Куанг Нья
2
Вырко, С. А.
.
дальше >
Тема
31
ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ
31
ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
по дате выпуска
7
2020 - 2023
18
2010 - 2019
6
2001 - 2009
по виду документа
25
conference paper
5
article
1
conference abstract