Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/7433| Title: | Разработать физические основы технологии создания бездефектных ионно-легированных структур кремния с целью улучшения параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем на их основе и повышении выхода годных изделий микроэлектроники : отчет о НИР (заключительный) / БГУ; науч. рук. А. Р. Челядинский |
| Authors: | Челядинский, А. Р. Явид, В. Ю. Васильева, Л. А. Садовский, П. К. Васильев, Ю. Б. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2010 |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/7433 |
| Registration number: | 20062732 |
| Appears in Collections: | Отчеты 2010 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Отчет Челядинский 20062732.doc | 27,52 MB | Microsoft Word | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.