Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/7433
Title: Разработать физические основы технологии создания бездефектных ионно-легированных структур кремния с целью улучшения параметров полупроводниковых приборов и интегральных схем на их основе и повышении выхода годных изделий микроэлектроники : отчет о НИР(заключительный) / БГУ; науч. рук. Челядинский, А. Р.
Authors: Челядинский, А. Р.
Явид, В. Ю.
Васильева, Л. А.
Садовский, П. К.
Васильев, Ю. Б.
Keywords: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Issue Date: 2010
URI: http://elib.bsu.by/handle/123456789/7433
Registration number: 20062732
Appears in Collections:Отчеты 2010

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Отчет Челядинский 20062732.doc27,52 MBMicrosoft WordView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.