Структура и фотоэлектрические свойства пленок CdTe, полученных методом электрохимического осаждения

Abstract

The goal of this work is establishing of the structure and photoelectrical properties of CdTe films produced by the electrochemical deposition method. It has been shown that synthesized films have a single-phase structure and n-type conductivity; photosensiti vity of the films synthesized in the potentiostatic regime decreases abruptly when the thickness is over 10 μm; the annealing at temperatures less than 500 oC improves the photoelectrical properties of the films and retains n-type of their conductivity; the film photosensitivity is remained under 6 MeV electron irradiation with a fluence of 1⋅1015 cm–2. = Установлены структура и фотоэлектрические свойства пленок CdTe, полученных методом электрохимического осаждения в потенциостатическом режиме. Показано, что синтезированные пленки характеризуются однофазной структурой и проводимостью n-типа; фоточувствительность таких пленок резко уменьшается при толщине свыше 10 мкм; отжиг при температурах менее 500 oC улучшает фотоэлектрические свойства пленок и не изменяет их тип проводимости; фоточувствительность пленок сохраняется при облучении электронами с энергией 6 МэВ и флюенсом до 1⋅1015 см–2.