Формирование массивов квантовых точек Ge в слоях SiO2 при отжиге пересыщенных сплавов SiO2(Ge)

Abstract

We report on strong structural changes of SiO2(Ge) supersaturated alloys during thermal treatment. Transmission electron microscopy and micro diffraction techniques reveal the formation of Ge quantum dot (QD) arrays in SiO2 layers. It is demonstrated that QD arrays features strongly depends on the level of SiO2(Ge) alloy supersaturation and anneal temperature. Исследованы структурно-фазовые изменения в пересыщенных сплавах SiO2(Ge) при высокотемпературном отжиге. С помощью методов просвечивающей электронной микроско- пии и микродифракции зарегистрировано формирование в слоях SiO2 массивов квантовых точек (КТ) германия. Показано, что параметры образующихся массивов КТ германия сильно зависят от степени пересыщения сплавов SiO2(Ge), а также от условий их термической обработки.