Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/49100
Заглавие документа: ANNEALING EFFECTS ON PHOTOLUMINESCENCE OF SiNX FILMS GROWN BY PECVD
Авторы: Komarov, F. F.
Parkhomenko, I. N.
Vlasukova, L. A.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2013
Аннотация: Si-rich and N-rich silicon nitride films were deposited at low temperature 300 °C by using plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD). The optical and structural properties of these films have been investigated by ellipsometry, Rutherford backscattering (RBS), transmission electron microscopy (TEM), Raman spectroscopy (RS) and photoluminescence (PL). The formation of silicon clusters in both Si-rich and N-rich silicon nitride films after annealing at 900 °C and 1000 °C for hour in N2 ambient has been revealed by TEM. Dependency of PL spectra on stoichiometry and post-annealing temperature was analyzed. The contribution of Si and N-related defects in emitting properties of Si-rich and N-rich SiNx has been discussed.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/49100
Располагается в коллекциях:2013. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Komarov.pdf3,65 MBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.