ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ ПЕРЕХОДА МЕТАЛЛ-ПОЛУПРОВОДНИК, СОВМЕСТИМЫЙ С КРЕМНИЕВОЙ ТЕХНОЛОГИЕЙ

Abstract

Создание фотодиодов, совместимых с кремниевой технологией интегральных микросхем при сохранении повышенных значений спектральной чувствительности и быстродействия, является важной задачей. Научной основой создания таких фотодиодов являются обнаруженные авторами полупроводниковые свойства тонкой поликристаллической пленки дисилицида титана (TiSi2) модификации С49, в отличие от известного свойства металлической проводимости дисилицида титана модификации С54, используемого в кремниевой технологии для создания электрических соединений между элементами субмикронных размеров. Совместимость предложенного фотодиода с кремниевой технологией интегральных микросхем при повышенных значениях спектральной чувствительности и быстродействия достигается благодаря формированию фотодиода на кремниевой подложке с использованием в своей структуре как самого кремния, так и отработанных в кремниевой технологии операций и средств диагностики их режимов, а сам фотодиод может интегрироваться в состав кремниевой оптоэлектронной микросхемы.