Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48770
Заглавие документа: Радиационные дефекты в InN, облученном высокоэнергетическими электронами
Авторы: Живулько, В. Д.
Мудрый, А. В.
Якушев, М. В.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2013
Аннотация: Исследовано влияние электронного облучения (6 МэВ, доза 1015-1018 см-2) на смещение края фундаментального поглощения и люминесцентные свойства пленок InN, выращенных на сапфировых подложках с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что облучение приводит к увеличению концентрации электронов и ширины запрещенной зоны InN за счет образования собственных дефектов структуры донорного типа и проявления эффекта Бурштейна-Мосса.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48770
Располагается в коллекциях:2013. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Живулько.pdf350,42 kBAdobe PDFОткрыть


PlumX

Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.