Please use this identifier to cite or link to this item:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48770| Title: | Радиационные дефекты в InN, облученном высокоэнергетическими электронами |
| Authors: | Живулько, В. Д. Мудрый, А. В. Якушев, М. В. |
| Keywords: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Issue Date: | 2013 |
| Abstract: | Исследовано влияние электронного облучения (6 МэВ, доза 1015-1018 см-2) на смещение края фундаментального поглощения и люминесцентные свойства пленок InN, выращенных на сапфировых подложках с использованием метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что облучение приводит к увеличению концентрации электронов и ширины запрещенной зоны InN за счет образования собственных дефектов структуры донорного типа и проявления эффекта Бурштейна-Мосса. |
| URI: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48770 |
| Appears in Collections: | 2013. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Живулько.pdf | 350,42 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.