Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/48454
Заглавие документа: | Изучение Zr/Si-структур, полученных методом ионно-ассистируемого осаждения |
Авторы: | Бобрович, О. Г. Ташлыков, И. С. Тульев, В. В. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2013 |
Аннотация: | Исследованы методами резерфордовского обратного рассеяния, резонансной ядерной реакции, масс- спектрометрии вторичных ионов и компьютерным моделированием композиционный состав и распределения элементов по глубине в Zr/Si-структурах, полученных ионно-ассистируемым осаждением. Установлено, что сформированные покрытия содержат атомы циркония (4-6 ат. %), водорода (1-3 ат. %), углерода (60-70 ат. %), кислорода (25-35 ат. %) и кремния (6-8 ат. %). Приповерхностные слои образцов содержат карбиды SiC, ZrC и оксиды ZrO, SiO, углеводород СН, молекул С2 и преципитаты Zr, Si, C, O. Водород в покрытиях частично находятся в химически несвязанном состоянии. |
URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/48454 |
Располагается в коллекциях: | 2013. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Бобрович.pdf | 601,72 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.