Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/48454
Заглавие документа: Изучение Zr/Si-структур, полученных методом ионно-ассистируемого осаждения
Авторы: Бобрович, О. Г.
Ташлыков, И. С.
Тульев, В. В.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2013
Аннотация: Исследованы методами резерфордовского обратного рассеяния, резонансной ядерной реакции, масс- спектрометрии вторичных ионов и компьютерным моделированием композиционный состав и распределения элементов по глубине в Zr/Si-структурах, полученных ионно-ассистируемым осаждением. Установлено, что сформированные покрытия содержат атомы циркония (4-6 ат. %), водорода (1-3 ат. %), углерода (60-70 ат. %), кислорода (25-35 ат. %) и кремния (6-8 ат. %). Приповерхностные слои образцов содержат карбиды SiC, ZrC и оксиды ZrO, SiO, углеводород СН, молекул С2 и преципитаты Zr, Si, C, O. Водород в покрытиях частично находятся в химически несвязанном состоянии.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/48454
Располагается в коллекциях:2013. Взаимодействие излучений с твердым телом

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
Бобрович.pdf601,72 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.