Сегрегация германия при наноимпульсном лазерном воздействии на эпитаксиальные слои SiGe/Si

Abstract

Методами атомно-силовой, просвечивающей и растровой электронной микроскопии исследованы структурные свойства эпитаксиальных слоев Si0,5Ge0,5/Si до и после лазерной обработки импульсами излучения наносекундной длительности. Динамика лазерного воздействия исследована методом двухволнового оптического зондирования на отражение пробного пучка. Исследуемые структуры выращивались на кремниевых подложках с ориентацией (100) и подвергались лазерной обработке на λ=0,69 мкм в интервале плотностей энергии облучения 1,5-2,5 Дж/см2 при длительности импульса 80 нс.