Особенности лавинного пробоя перехода коллектор - база субмикронного биполярного транзистора

Abstract

Interrelation has been established of the break-down voltage collector – base and the gain ratio of the n–p–n transistor with the impurities distribution profiles in the base area and the epitaxial film. It is shown, that the value of the break-down voltage depends both on the impurity doping modes, epitaxial film thickness and the modes of the fast thermal treatment of the ion-doped layers. = Установлена взаимосвязь пробивного напряжения коллектор – база и коэффициента усиления n−p−n-транзистора с профилями распределения примесей в базовой области и эпитаксиальной пленке. Показано, что величина пробивного напряжения зависит как от режимов легирования примеси, толщины эпитаксиальной пленки, так и от количества процессов быстрой термической обработки ионно-легированных слоев.