Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/4736
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorПилипенко, В. А.-
dc.contributor.authorПонарядов, В. В.-
dc.contributor.authorГорушко, В. А.-
dc.contributor.authorСякерский, В. С.-
dc.contributor.authorПетлицкая, Т. В.-
dc.date.accessioned2012-02-21T12:40:06Z-
dc.date.available2012-02-21T12:40:06Z-
dc.date.issued2009-01-
dc.identifier.citationВестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. - 2009. - N 1. - С. 41-44.ru
dc.identifier.issn0321-0367-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/4736-
dc.description.abstractInterrelation has been established of the break-down voltage collector – base and the gain ratio of the n–p–n transistor with the impurities distribution profiles in the base area and the epitaxial film. It is shown, that the value of the break-down voltage depends both on the impurity doping modes, epitaxial film thickness and the modes of the fast thermal treatment of the ion-doped layers. = Установлена взаимосвязь пробивного напряжения коллектор – база и коэффициента усиления n−p−n-транзистора с профилями распределения примесей в базовой области и эпитаксиальной пленке. Показано, что величина пробивного напряжения зависит как от режимов легирования примеси, толщины эпитаксиальной пленки, так и от количества процессов быстрой термической обработки ионно-легированных слоев.ru
dc.language.isoruru
dc.publisherБГУru
dc.subjectЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физикаru
dc.titleОсобенности лавинного пробоя перехода коллектор - база субмикронного биполярного транзистораru
dc.typeArticleru
Appears in Collections:2009, №1 (январь)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
07 ПИЛИПЕНКО.pdf381,8 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.