Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/38159| Заглавие документа: | ОСОБЕННОСТИ ПРЯМОЙ ВАХ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ КРЕМНИЕВЫХ N+-P-СТРУКТУР С ТОНКОЙ БАЗОЙ, ОБЛУЧЕННЫХ ЭЛЕКТРОНАМИ |
| Авторы: | Коршунов, Ф. П. Марченко, И. Г. Жданович, Н. Е. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2012 |
| Издатель: | Издательский центр БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники: сб. науч. тр. V Междунар. науч. конф., Минск, 10-11 окт. 2012 г. С.128-131 |
| Серия/Номер: | Вузовская наука, промышленность, международное сотрудничество; |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/38159 |
| ISBN: | 978-985-553-079-5 |
| Располагается в коллекциях: | 2012. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Коршунов.pdf | 261,62 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.