Logo BSU

Please use this identifier to cite or link to this item: http://elib.bsu.by/handle/123456789/32824
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЛуценко, Е. В.-
dc.contributor.authorДанильчик, А. В.-
dc.contributor.authorПавловский, В. Н.-
dc.date.accessioned2013-02-18T09:48:33Z-
dc.date.available2013-02-18T09:48:33Z-
dc.date.issued2006-
dc.identifier.isbn985-457-667-1-
dc.identifier.urihttp://elib.bsu.by/handle/123456789/32824-
dc.language.isoruru
dc.publisherАкадемия управления при Президенте Республики Беларусьru
dc.subjectЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехникаru
dc.titleТемпература нагрева активной области INGAN/GAN мощных светоизлучающих диодов и ее зависимость от плотности тока накачкиru
Appears in Collections:2006. Квантовая электроника

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
83-85.Pdf516,79 kBAdobe PDFView/Open


PlumX

Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.