Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/32793| Заглавие документа: | Модифицирование гетероструктуры a-Ge/Si воздействием импульсного лазерного излучения |
| Авторы: | Ивлев, Г. Д. Гацкевич, Е. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
| Дата публикации: | 2006 |
| Издатель: | Академия управления при Президенте Республики Беларусь |
| URI документа: | http://elib.bsu.by/handle/123456789/32793 |
| ISBN: | 985-457-667-1 |
| Располагается в коллекциях: | 2006. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| page_148.pdf | 158,72 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.