Logo BSU

Просмотр "2000. Квантовая электроника" Заглавия

Перейти: 0-9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

А Б В Г Д Е Ж З И Й К Л М Н О П Р С Т У Ф Х Ц Ч Ш Щ Ъ Ы Ь Э Ю Я

или введите несколько первых символов:  
Результаты 83 - 102 из 141 < предыдущий   следующий >
Предварительный просмотрДата выпускаЗаглавиеАвтор(ы)
2000О влиянии температуры активной среды на процесс генерации электроразрядного СО2-лазераНевдах, В. В.
2000О структуре подготовки специалистов на кафедре квантовой радиофизики и оптоэлектроники БелогосуниверситетаКарих, Е. Д.; Манак, И. С.; Кугейко, М. М.
2000Оптимизация нелинейного алгоритма восстановленияДовнар, Д. В.; Лысикова, О. Н.; Предко, К. Г.
2000Оптическая передаточная функция бинарной марковской смесиНоскова, М. С.
2000Оптоэлектронные жидкокристаллические элементы в учебном практикуме по оптической обработке информацииМельникова, Е. А.; Толстик, А. Л.
2000Особенности возбуждения квантового осциллятора Кравчука лазерными импульсамиХлус, О. В.
2000Особенности измерения объемного времени жизни носителей заряда фазовым методом и методом сдвоенных импульсов токаКолковский, И. И.; Комаров, Ф. Ф.; Фурманюк, Т. В.
2000Особенности модификации структуры металлов при различных режимах их лазерной обработкиБосак, Н. А.; Васильев, С. В.; Иванов, А. Ю.; Лиопо, В. А.
2000Особенности организации учебного процесса по специализации —квантовая электроникаКарих, Е. Д.; Манак, И. С.
2000Особенности пропускания излучения тонким слоем резонансных атомовЮревич, В. А.; Плиско, А. И.
2000Особенности работы полупроводниковых инжекционных лазеров в режиме четырехволнового смешенияАфоненко, А. А.; Манак, И. С.; Матюхин, А. Б.
2000Особенности фотолюминесценции (фл) лазерноотожженных n+-n-i субмикронных GaAs-структурЕмельяненко, Ю. С.
2000Особенности фотофизических и генерационных свойств фторпроизводных 4-(дицианометилен)-пиранаБобров, Д. Н.; Невар, Н. М.; Тыворский, В. И.
2000Оценка точностных характеристик лазерного доплеровского измерителя скоростейЧубаров, С. И.; Юревич, А. И.
2000Параметрическое рассеяние в парах натрияГайда, Л. С.; Картазаев, В. А.
2000Перестраиваемый по частоте лазер с использованием многократного вынужденного рассеяния Мандельштама-БриллюэнаОкушко, В. А.; Дашкевич, В. И.
2000Поверхностная структура алмазоподобных пленок, полученных лазерным методомГончаров, В. К.; Пузырев, М. В.; Федоров, Д. И.
2000Повышение точности лазерных фазовых дальномеровКозлов, В. Л.; Кузьмин, К. Г.; Чубаров, С. И.
2000Поглощательные и рефракционные характеристики легированных полупроводниковых сверхрешетокУшаков, Д. В.; Кононенко, В. К.; Манак, И. С.
2000Получение одиночных пикосекундных импульсов в рос-лазере на красителях в режиме спектрального переключения генерацииЕрмилов, Е. А.; Гулис, И. М.