Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/307137| Заглавие документа: | Влияние облучения быстрыми электронами на параметры диодов генераторов шума |
| Другое заглавие: | Effect of fast electron irradiation on the parameters of noise generator diodes / V.V. Buslyuk, S.S. Derechennik, V.B. Odzaev, V.S. Prosolovich, S.B. Lastovski, I.Yu. Neroda, D.N. Fedosuyk, V.V. Chernyi, Yu.N. Yankouski |
| Авторы: | Буслюк, В.В. Дереченник, С.С. Оджаев, В.Б. Просолович, В.С. Ластовский, С.Б. Нерода, И.Ю. Федосюк, Д.Н. Черный, В.В. Янковский, Ю.Н. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Приборостроение |
| Дата публикации: | ноя-2023 |
| Издатель: | Белорусский национальный технический университет |
| Библиографическое описание источника: | Приборостроение-2023 : материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15–17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: О. К. Гусев (председатель) [и др.]. – Минск : БНТУ, 2023. – С. 178–179. |
| Аннотация: | Исследованы изменения электрофизических параметров кремниевых диодов-генераторов шума ND103L, при облучении быстрыми электронами с энергией 5 МэВ дозами 3×10^13–1×10^15 cм^–2. Установлено, что величины обратных токов при всех значениях обратного напряжения существенно возрастают в процессе облучения. Эффективное напряжение шума и спектральная плотность напряжения шума в процессе облучения возрастают до доз 5×10^13 и 3×10^13 cм^–2, соответственно. При дальнейшем увеличении потока электронов оба параметра уменьшаются. Облучение приводит также к значительному росту граничной частоты шумового сигнала и падению спектральной плотности напряжения шума в этой полосе частот. Результаты объясняются модификацией микроплазм радиационными дефектами. |
| Аннотация (на другом языке): | Changes in the electrophysical parameters of ND103L silicon noise generator diodes have been studied when irradiated with fast electrons with an energy of 5 MeV doses 3·10^13–1·10^15 cm^–2. It is established that the values of reverse currents at all values of reverse voltage increase significantly in the irradiation process. The effective noise voltage and the spectral density of the noise voltage during irradiation increase to doses of 5·10^13 and 3·10^13 cm^–2, respectively. With a further increase in the electron flow, both parameters decrease. Irradiation also leads to a significant increase in the boundary frequency of the noise signal and a drop in the spectral density of the noise voltage in this frequency band. The results are explained by the modification of microplasmas by radiation defects. |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/307137 |
| ISBN: | 978-985-583-996-6 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Приборостроение_2023_Буслюк_ Дереченник_Оджаев.pdf | 354,76 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.