Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305445| Заглавие документа: | Эффект резистивного переключения в структурах на базе тонких пленок нитрида кремния |
| Другое заглавие: | The effect of resistive switching in structures based on thin films of silicon nitride / P. A. Krupenkov, I. A. Romanov, F. F. Komarov, N. S. Kovalchuk, S. A. Demidovich |
| Авторы: | Крупенков, П. А. Романов, И. А. Комаров, Ф. Ф. Ковальчук, Н. С. Демидович, С. А. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 278-282. |
| Аннотация: | В настоящей работе исследованы процессы резистивного переключения и электрофизические свойства мемристорных структур ITO/SiNx/Si и Ni/SiNx/Si. Анализ вольт-амперных характеристик показал, что основными механизмами переноса носителей заряда в исследуемых структурах является механизм туннелирования между ловушками в нитриде кремния и перенос носителей заряда по проводящим каналам, образовавшимся из материалов контактов в слоях SiNx |
| Аннотация (на другом языке): | In this paper, the processes of resistive switching and the electrophysical properties of memristor structures ITO/SiNx/Si and Ni/SiNx/Si are investigated. The analysis of volt-ampere characteristics showed that the main mechanisms of charge carrier transfer in the studied structures are the mechanism of tunneling between traps in silicon nitride and the transfer of charge carriers through conductive channels formed from contact materials in SiNx layers |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305445 |
| ISBN: | 978-985-881-530-1 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 278-282.pdf | 1,75 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.