Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/305440
Заглавие документа: | Влияние интерференции света на внешний квантовый выход электролюминесценции системы «кварц-электролит-SiO2-Si» |
Другое заглавие: | Effect of light interference on electroluminescence external quantum yield of “quartz-electrolyte-SiO2 -Si” system / I. Romanov, F. Komarov, L. Vlasukova, I. Parkhomenko |
Авторы: | Романов, И. А. Комаров, Ф. Ф. Власукова, Л. А. Пархоменко, И. Н. |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
Дата публикации: | 2023 |
Издатель: | Минск : БГУ |
Библиографическое описание источника: | Квантовая электроника : материалы XIV Междунар. науч.-техн. конф., Минск, 21-23 нояб. 2023 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: М. М. Кугейко (гл. ред.), А. А. Афоненко, А. В. Баркова. – Минск : БГУ, 2023. – С. 257-261. |
Аннотация: | Предложена модель излучающей системы «кварц-электролит-SiO2-Si» для оценки внешнего квантового выхода электролюминесценции. Проведены расчеты в рамках представленной модели для двух случаев распределения центров люминесценции (ЦЛ): их локализация в приповерхностной области ~ 20 нм и распределение по всей глубине слоя SiO2. Показано, что при локализации ЦЛ в приповерхностной области коэффициент выхода излучения из системы «кварц-электролит-SiO2-Si» варьирует в пределах 0,25 – 2,5 для длин волн более 390 нм. При распределении ЦЛ по всей глубине слоя SiO2 коэффициент выхода излучения изменяется в пределах 1,0 – 1,5 отн. ед. при толщинах SiO2 свыше 80 нм |
Аннотация (на другом языке): | A model of the “quartz-electrolyte-SiO2-Si” emitting system has been developed to estimate the electroluminescence external quantum yield. Calculations were carried out for two cases of the luminescence centers (CLs) distribution: their localization in the near-surface region of ~ 20 nm and distribution throughout the entire depth of the SiO2 layer. When the CLs are localized in the near-surface region, the radiation output coefficient from the “quartz-electrolyte-SiO2 -Si” system varies within 0.25 – 2.5 for wavelengths ˃390 nm. When the CLs are distributed over the entire depth of the SiO2 layer, the radiation yield coefficient varies in the range of 1.0 – 1.5 arb. units at SiO2 thicknesses above 80 nm |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/305440 |
ISBN: | 978-985-881-530-1 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Располагается в коллекциях: | 2023. Квантовая электроника |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
257-261.pdf | 1,74 MB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.