Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304794
Полная запись метаданных
Поле DC | Значение | Язык |
---|---|---|
dc.contributor.author | Ковальчук, Н. С. | - |
dc.contributor.author | Ластовский, С. Б. | - |
dc.contributor.author | Оджаев, В. Б. | - |
dc.contributor.author | Петлицкий, А. Н. | - |
dc.contributor.author | Просолович, В. С. | - |
dc.contributor.author | Шестовский, Д. В. | - |
dc.contributor.author | Явид, В. Ю. | - |
dc.contributor.author | Янковский, Ю. Н. | - |
dc.date.accessioned | 2023-11-20T16:47:26Z | - |
dc.date.available | 2023-11-20T16:47:26Z | - |
dc.date.issued | 2023-09-10 | - |
dc.identifier.citation | Микроэлектроника. – 2023. – Т. 52, № 6. – С. 481–488. | ru |
dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304794 | - |
dc.description.abstract | Представлены результаты исследований изменения электрофизических параметров p-i-n-фотодиодов, изготовленных на пластинах монокристаллического кремния p-типа проводимости ориентации (100) с ρ = 1000 Ом см, при облучении γ-квантами от источника 60Со. Установлено, что в результате облучения p-i-n-фотодиодов дозами до 2×10^15 квант/см^2 происходит увеличение обратного темнового тока более, чем на порядок. Однако форма кривой зависимости тока от приложенного обратного напряжения облученных p-i-n-фотодиодов качественно не изменяется, как и для исходных приборов имеют место три области с различной зависимостью тока от напряжения: сублинейной, суперлинейной и линейной, обусловленные различными механизмами генерационно-рекомбинационных процессов в области обеднения p-n-перехода. Основной причиной возрастания обратного тока p-i-n-фотодиодов в результате облучения γ-квантами является образование генерационно-рекомбинационных центров радиационного происхождения вследствие конденсации первичных радиационных дефектов (вакансий и/или собственных междоузельных атомов) на технологических остаточных дефектах структуры, сформировавшихся как во время выращивания монокристаллов кремния, так и при последующих высокотемпературных обработках в процессе формирования приборов. | ru |
dc.language.iso | ru | ru |
dc.publisher | Российская академия наук, Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН | ru |
dc.rights | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | ru |
dc.subject | ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника | ru |
dc.title | Электрофизические параметры p-i-n-фотодиодов, облученных γ-квантами 60Со | ru |
dc.type | article | ru |
dc.rights.license | CC BY 4.0 | ru |
dc.identifier.DOI | 10.31857/S0544126923600264 | - |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники (статьи) |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
MEL0481.pdf | 654,3 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.