Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304239| Заглавие документа: | Фотоэлектрические характеристики гетероперехода n-3C-SiC/n-Si |
| Другое заглавие: | Photoelectric characteristics of the n-3С-SiC/n-Si heterojunction / M.V. Palonski, M.V. Lobanok, P.I. Gaiduk |
| Авторы: | Полонский, Н. В. Лобанок, М. В. Гайдук, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 433-435. |
| Аннотация: | Представлены результаты измерения фотоэлектрических характеристик гетеропереходов n-3С-SiC/n-Si в спектральном диапазоне 379-940 нм. Гетероструктуры с изотипным гетеропереходом n-3С-SiC/n-Si выращивали методом молекулярно-лучевой эпитаксии при 950 °С. Установлено, что вольт-амперная характеристика указанной структуры является выпрямляющей с фактором неидеальности 1.5 и током насыщения порядка 1.3 мкА/см2. Показано, что облучение светом на длине волны 379 нм приводит к увеличению тока утечки до 0.26·мА/см2, а облучение на длине волны 940 нм до 14 мА/см2, что указывает на возможность использования гетероструктур типа n-3С-SiC/n-Si для создания многоспектральных фотодекторов. Результаты исследований спектральной зависимости фотопроводимости интерпретированы с учетом возможной диаграммы энергетических зон гетерострутктуры 3С-SiC/Si |
| Аннотация (на другом языке): | The results of measuring the photoelectric characteristics of SiC/Si heterojunctions in the spectral range 379-940 nm are presented. Heterostructures with the n-3C-SiC/n-Si isotype heterojunction were grown by molecular beam epitaxy at 950°C. It has been established that carrent-voltage characteristics of this structure has rectifier behavior with a nonideality factor of 1.5 and saturation current of about 1.3 μA/cm2. It is shown that irradiation with light at a wavelength of 379 nm leads to an increase in the leakage current up to 0.26 mA/cm2, and irradiation at a wavelength of 940 nm up to 14 mA/ cm2, which indicates the possibility of using heterostructures of the n-3C-SiC/n-Si to create multispectral photodetectors. The results of studying the spectral dependence of photoconductivity are interpreted taking into account the possible diagram of the energy bands of the 3С-SiC/Si heterostructure |
| Доп. сведения: | Секция 4. Наноматериалы: формирование и свойства при воздействии излучений = Section 4. Nanomaterials: formation and properties under the influence of radiation |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304239 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Финансовая поддержка: | Исследования выполнены в рамках проекта 3.1.2ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций» (№ ГР 20212702) и проекта БРФФИ Т22-030 (№ ГР 20221052). |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 433-435.pdf | 374,03 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.