Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/304233| Заглавие документа: | Фотолюминесценция квантовых точек Ge/Si при эпитаксии из ионно-молекулярных пучков |
| Другое заглавие: | Photoluminescence of Ge/Si quantum dots at epitaxy from ion-molecular beams / A.V. Mudryi, V.D. Zhivulko, V.A. Zinovyev, A.F. Zinovieva, Zh.V. Smagina, A.V. Dvurechenskii |
| Авторы: | Мудрый, А. В. Живулько, В. Д. Зиновьев, В. А. Зиновьева, А. Ф. Смагина, Ж. В. Двуреченский, А. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Взаимодействие излучений с твердым телом : материалы 15-й Междунар. конф., Минск, Беларусь, 26-29 сент. 2023 г. / Белорус, гос. ун-т ; редкол.: В. В. Углов (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2023. – С. 417-419. |
| Аннотация: | Исследована фотолюминесценция наноструктур Ge/Si с квантовыми точками (КТ) Ge, созданными при молекулярно-лучевой эпитаксии в условиях частичной ионизации пучков Ge+. Обнаружено, что воздействие ионов Ge+, ускоренных напряжением до ~ 2 кВ в процессе ионно-молекулярной эпитаксии, приводит к модификации КТ Ge в многослойных наноструктурах Ge/Si. Установлено, что имплантация ионов Ge+ в процессе осаждения КТ Ge, приводит к образованию дефектов структуры на границах раздела нанослоев Ge и Si, обуславливающих увеличение интенсивности полос фотолюминесценции в спектральной области ~ 0.7 – 0.9 эВ. Обсуждается механизм излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда в наноструктурах Ge/Si с КТ Ge |
| Аннотация (на другом языке): | The photoluminescence of Ge/Si nanostructures with Ge quantum dots (QDs) produced by molecular beam epitaxy under conditions of partial ionization of Ge + beams have been studied. It was found that the action of Ge+ ions that are accelerated by voltages to ~ 2 kV during ion-molecular epitaxy leads to the modification of Ge QDs in multilayer Ge/Si nanostructures. It was determined that the implantation of Ge+ ions during the deposition of Ge quantum dots leads to the formation of structural defects at the interfaces between the Ge and Si nanolayers, which causes an increase in the intensity of the photoluminescence bands in the spectral region of 0.6 ~ 0.8 eV. The mechanism of radiative recombination of nonequilibrium charge carriers of Ge/Si nanostructures with QDs of Ge has been discussed |
| Доп. сведения: | Секция 4. Наноматериалы: формирование и свойства при воздействии излучений = Section 4. Nanomaterials: formation and properties under the influence of radiation |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/304233 |
| ISSN: | 2663-9939 (Print) 2706-9060 (Online) |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена по ГПНИ «8. Материаловедение, новые материалы и технологии», задание 2.2.1. |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Взаимодействие излучений с твердым телом |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 417-419.pdf | 408,56 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.