Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/302431Полная запись метаданных
| Поле DC | Значение | Язык |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Мухаммад, А. И. | |
| dc.contributor.author | Гайдук, П. И. | |
| dc.date.accessioned | 2023-10-02T06:47:08Z | - |
| dc.date.available | 2023-10-02T06:47:08Z | - |
| dc.date.issued | 2023 | |
| dc.identifier.citation | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 64-66. | |
| dc.identifier.uri | https://elib.bsu.by/handle/123456789/302431 | - |
| dc.description | Секция 1. Прикладные проблемы оптики и спектроскопии | |
| dc.description.abstract | Методами Фурье-спектрометрии были исследованы экспериментальные спектры пропускания периодических структур Si/SiO2/Si3N4/Si и Si/SiO2/Si3N4/Si/Al с окошечным поверхностным слоем, легированным имплантацией ионов As+. Обнаружено, что после проведения термического отжига уровень пропускания структуры Si/SiO2/Si3N4/Si падает на 5–20%, при этом поведение кривых пропускания не изменяется. Установлено, что осаждение на обратную сторону структуры пленки алюминия не влияет на уровень пропускания структуры без отжига, но значительно (более, чем на 20%) уменьшает уровень пропускания отожженной структуры, что может быть связано с возникновением в поверхностном слое плазмонных колебаний | |
| dc.description.sponsorship | Исследования проводились при финансовой поддержке БРФФИ в рамках гранта Т-22-030. | |
| dc.language.iso | ru | |
| dc.rights | info:eu-repo/semantics/openAccess | |
| dc.subject | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика | |
| dc.title | Спектры пропускания периодических структур Si/SiO2/Si3N4/Si/Al с окошечным поверхностным слоем | |
| dc.type | conference paper | |
| dc.identifier.deposit | №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023 | |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния | |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.