Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/302383| Заглавие документа: | Формирование слоев SiC на структурах поли-Si/Si3N4/SiO2/Si |
| Авторы: | Полонский, Н. В. Лобанок, М. В. Гайдук, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2023 |
| Библиографическое описание источника: | Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния : материалы VII Междунар. науч.-практ. конференции, посвященной 120-летию со дня рождения академика Антона Никифоровича Севченко, 18–19 мая 2023 г., Минск / НИУ «Ин-т приклад. физ. проблем им. А. Н. Севченко» БГУ ; [редкол.: Ю. И. Дудчик (гл. ред.), И. М. Цикман, И. Н. Кольчевская]. – Минск, 2023. – С. 366-368. |
| Аннотация: | Методом резерфордовского обратного рассеяния установлено, что вакуумная карбидизация структур поли-Si/Si3N4/SiO2/Si приводит к формированию слоёв SiC толщиной 20-45 нм. Методом инфракрасной спектрометрии обнаружена полоса пропускания при 799 см-1, что соответствует валентным колебаниям связи Si-C. Установлено, что слоевое сопротивление SiC после 10 – 20 мин карбидизации составляет 450 и 2200 Ом/□ соответственно |
| Доп. сведения: | Секция 4. Прикладные проблемы физики конденсированного состояния |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/302383 |
| Финансовая поддержка: | Исследования выполнены в рамках проекта 3.1.2 ГПНИ «Фотоника и электроника для инноваций» (№ ГР 20212702) и проекта БРФФИ Т22-030 (№ ГР 20221052). |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Номер, дата депонирования: | №007528082023, Деп. в БГУ 28.08.2023 |
| Располагается в коллекциях: | 2023. Прикладные проблемы оптики, информатики, радиофизики и физики конденсированного состояния |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 366-368.pdf | 452,12 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.