Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: http://elib.bsu.by/handle/123456789/29805
Заглавие документа: Моделирование технологических процессов субмикронной электроники для систем проектирования интегральных схем
Авторы: Комаров, Ф. Ф.
Комаров, А. Ф.
Миронов, А. М.
Заяц, Г. М.
Макаревич, Ю. В.
Мискевич, С. А.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: сен-2011
Издатель: БГУ
Библиографическое описание источника: Вестник Белорусского государственного университета. Сер. 1, Физика. Математика. Информатика. – 2011. - № 3. – С. 26-32.
Аннотация: Software for the simulation of low-energy implantation of dopant atoms in silicon structures and postimplantation rapid thermal annealing (RTA) of these structures have been developed. Software is integrated into the ATHENA simulation system, developed by Silvaco Inc., which made possible usage of our simulation results in the pass-through simulation of microelectronics technologies and devices, in particular, to simulate the electrical characteristics of submicron MOSFETs. = Разработан программный комплекс для моделирования процессов низкоэнергетической имплантации легирующих примесей в кремниевые структуры и постимплантационного быстрого термического отжига (БТО) этих структур. Программное обеспечение интегрировано в среду программного комплекса ATHENA, разработанного Silvaco Inc., что позволяет использовать результаты наших расчетов в системе сквозного моделирования технологий и приборов микроэлектроники, в частности, для определения электрофизических свойств субмикронных МОП-транзисторов.
URI документа: http://elib.bsu.by/handle/123456789/29805
ISSN: 0321-0367
Располагается в коллекциях:2011, №3 (сентябрь)

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
26-32.pdf689,94 kBAdobe PDFОткрыть


Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.