Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/293255
Заглавие документа: | Технология производства интегральных микросхем: учебная программа УВО по учебной дисциплине для специальности 1-31 04 07 Физика наноматериалов и нанотехнологий. № УД-11437/уч. |
Авторы: | Пилипенко, Владимир Александрович Лапчук, Наталья Михайловна |
Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика ЭБ БГУ::ТЕХНИЧЕСКИЕ И ПРИКЛАДНЫЕ НАУКИ. ОТРАСЛИ ЭКОНОМИКИ::Электроника. Радиотехника |
Дата публикации: | 5-янв-2023 |
Издатель: | БГУ, Физический факультет, Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники |
Аннотация: | Программа данной учебной дисциплины разработана для учреждений высшего образования Республики Беларусь в соответствии с требованиями образовательного стандарта по специальности: 1-31 04 07 Физика наноматериалов и нанотехнологий для специализации 1-31 04 07 02 «Наноэлектроника». Содержание дисциплины «Технология производства интегральных микросхем» охватывает круг вопросов, посвященных теории и технологии создания сверхбольших интегральных схем (СБИС). Рассматриваются основные пути увеличения степени интеграции интегральных микросхем (ИМС), приводятся особенности планарной технологии. Рассматриваются основные технологические операции создания ИМС: подготовка поверхности кремниевых пластин, эпитаксиальное наращивание пленок кремния, ионное легирование кремния, литография, формирование металлизированных соединений. Большое внимание уделяется физическим основам технологии СБИС и, в частности, конструктивно-технологическим особенностям методов межкомпонентной изоляции активных и пассивных элементов микросхем. Приводятся основные уравнения, описывающие работу биполярного транзистора и позволяющие проводить расчет основных его характеристик. Дисциплина изучается в 8 семестре. Форма текущей аттестации – экзамен. |
URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/293255 |
Лицензия: | info:eu-repo/semantics/restrictedAccess |
Располагается в коллекциях: | Кафедра физики полупроводников и наноэлектроники |
Полный текст документа:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
УП_Технология производства ИМС.pdf | 429,11 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.