Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292884| Заглавие документа: | Фотолюминесценция наноструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge |
| Другое заглавие: | Photoluminescence of Ge/Si nanostructures with Ge quantum dots / A. V. Mudryi, V. D. Zhivulko, O. M. Borodavchenko, A. V. Hatsak, V. A. Zinovyev, Zh. V. Smagina, A. F. Zinovieva, A. V Dvurechenskii |
| Авторы: | Мудрый, А. В. Живулько, В. Д. Бородавченко, О. М. Гацак, А. В. Зиновьев, В. А. Смагина, Ж. В. Зиновьева, А. Ф. Двуреченский, А. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 471-476. |
| Аннотация: | При температуре 4,2 K исследована фотолюминесценция многослойных наноструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge, созданными при обычной молекулярнолучевой эпитаксии и эпитаксии из ионно-молекулярных пучков Ge+. Установлено, что облучение ионами Ge+ в процессе зарождения наноостровков Ge на Si приводит к увеличению интенсивности полосы фотолюминесценции в области энергии ~ 0,81 эВ и стабилизации ее спектрального положения. Обсуждается возможный механизм излучательной рекомбинации носителей заряда в наноструктурах Ge/Si с квантовыми точками Ge |
| Аннотация (на другом языке): | The photoluminescence of multilayer Ge/Si nanostructures with Ge quantum dots produced by conventional molecular-beam epitaxy and epitaxy from Ge+ ion-molecular beams was been studied at a temperature 4.2 K. It has been found that the irradiation with Ge+ ions during the nucleation of Ge nanoislands on Si leads to an increase in the intensity of the photoluminescence band in the energy region ~ 0.81 eV and stabilization of its spectral position. A possible mechanism of radiative recombination of charge carriers in Ge/Si nanostructures with Ge quantum dots is discussed |
| Доп. сведения: | Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292884 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена по программе ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма 8.2 (задание 2.2.1) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 471-476.pdf | 913,23 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.