Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292841| Заглавие документа: | Влияние ультрафиолетового излучения на парамагнетизм модифицированной ионами азота и отожженной в процессе БТО пленки диоксида кремния |
| Другое заглавие: | Effect of ultraviolet radiation on the paramagnetism of a silica film modified by nitrogen ions and annealed in the BTO process / A. N. Oleshkevich, V. B. Odzhaev, V. S. Prosolovich, T. M. Lapchuk, N. M. Lapchuk |
| Авторы: | Олешкевич, А. Н. Оджаев, В. Б. Просолович, В. С. Лапчук, Т. М. Лапчук, Н. М. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 283-286. |
| Аннотация: | Анализировались спектры ЭПР кремниевого образца с пленкой диоксида кремния, имплантированной ионами азота с энергией 40 кэВ и дозой 1×10 15 см−2 , с последующим процессом БТО при Т = 1050 °С в течение 15 с на воздухе, до и после облучения УФ излучением. Исследовалась стабильность модифицированного поверхностного слоя кремния к воздействию ультрафиолетового излучения с длиной волны 254 нм |
| Аннотация (на другом языке): | The EPR spectra of a silicon sample with a silicon dioxide film implanted with nitrogen ions with an energy of 40 keV and a dose of 1×10 15 cm−2 were analyzed, followed by a RTA process at T = 1050 °C for 15 s in air, before and after UV irradiation. The stability of the modified surface layer of silicon to the action of ultraviolet radiation with a wavelength of 254 nm was studied |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292841 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 283-286.pdf | 485,6 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.