Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292833| Заглавие документа: | Низкотемпературная проводимость тонких нанокристаллических пленок железа: сильная или слабая локализация? |
| Другое заглавие: | Low-temperature conductivity of thin nanocrystalline iron films: strong or weak localization? / V. I. Golovchuk, Yu. A. Bumai, M. G. Lukashevich, N. M. Lyadov, I. A. Faizrakhmanov, R. I. Khaibullin |
| Авторы: | Головчук, В. И. Бумай, Ю. А. Величка, А. Д. Лукашевич, М. Г. Лядов, Н. М. Файзрахманов, И. А. Хайбуллин, Р. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 244-249. |
| Аннотация: | В работе представлены результаты экспериментального исследования и интерполяции температурных зависимостей сопротивления нанокристаллических пленок железа, полученных на кремниевых подложках методом ионно-ассистированного осаждения. Показано, что в низкотемпературном интервале (5 K < Т < 35 K) увеличение сопротивления при понижении температуры обусловлено размерно-зависимыми процессами слабой локализации и электрон-электронного взаимодействия. Процессы электрон-электронного взаимодействия остаются трехмерными при понижении температуры, в то время как процессы слабой локализации показывают переход к двумерному транспорту при Т ≈ 20К, обусловленный превышением характеристической длины слабой локализации толщины пленки |
| Аннотация (на другом языке): | The paper presents the results of an experimental study and interpolation of the temperature dependences of the resistance of nanocrystalline iron films obtained on silicon substrates by ion-assisted deposition. It is shown that in the low-temperature range (5 K < T < 35 K) the increase in resistance with decreasing temperature is due to size-dependent processes of weak localization and electron-electron interaction. The processes of electron-electron interaction have a three-dimensional character with decreasing temperature, while the processes of weak localization show a transition from a three-dimensional to a two-dimensional electronic transport at T ≈ 20 K, due to the excess the weak localization characteristic length the film thickness |
| Доп. сведения: | Дефектно-примесная инженерия. Радиационные эффекты в полупроводниках |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292833 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Полный текст документа:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 244-249.pdf | 626,08 kB | Adobe PDF | Открыть |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.