Температурная зависимость роста SiC при быстрой вакуумно-термической обработке кремния

Abstract

В работе представлены результаты исследования структуры, фазового состава и кинетики роста эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремниевых подложках при их быстрой вакуумно-термической обработке. Методами просвечивающей электронной микроскопии установлено формирование слоев кубического политипа SiC (3C-SiC) на кремнии при карбидизации в диапазоне температур 1000–1300 °C. Обнаружено, что формирование слоев SiC проходит в два этапа, характеризующихся различными энергиями активации, а именно, в более низкотемпературном диапазоне от 1000 до 1150 °С энергия активации процесса роста SiC составляет Ea = 0.67 эВ, тогда как в диапазоне температур от 1150 до 1300 °С, энергия активации значительно выше (Ea = 6.3 эВ), что указывает на смену лимитирующего физического процесса