Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/292796| Заглавие документа: | Температурная зависимость оптического поглощения тонких пленок твердых растворов CuIn1-xGaxSe2 |
| Другое заглавие: | Temperature dependence of optical absorption of thin films of CuIn1-xGaxSe2 solid solutions / V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, O. M. Borodavchenko, A. V. Hatsak, V. N. Pavlovskii, E. V. Lutsenko, G. P. Yablonskii, M. V. Yakushev |
| Авторы: | Живулько, В. Д. Мудрый, А. В. Бородавченко, О. М. Гацак, А. В. Павловский, В. П. Луценко, Е. В. Яблонский, Г. П. Якушев, М. В. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 83-88. |
| Аннотация: | Измерены оптическое пропускание и отражение тонких пленок CuIn1-xGaxSe2 с составами x = 0,34 и x = 0,41 при температурах 20, 80 и 300 K. Определена оптическая ширина запрещенной зоны Eg для двух составов тонких пленок CuIn1-xGaxSe2. Ширина запрещенной зоны для тонких пленок CuIn1-xGaxSe2 с х = 0,34 составила 1,256 эВ, 1,256 эВ и 1,237 эВ при температурах 20, 80 и 300 K, а для х = 0,41–1,387 эВ, 1,377 эВ и 1,290 эВ, соответственно. Обнаруженный эффект аномально большого температурного смещения на 97 мэВ оптической ширины запрещенной зоны твердых растворов CuIn1-xGaxSe2 с х = 0,41 обусловлен термическим перераспределением носителей заряда на энергетических уровнях в потенциальных ямах разрешенных зон, обусловленных флуктуациями состава и электростатического потенциала в пленке |
| Аннотация (на другом языке): | The optical transmission and reflection of CuIn1-xGaxSe2 thin films with compositions x = 0.34 and x = 0.41 were measured at temperatures of 20, 80, and 300 K. The optical band gap Eg was determined for the two compositions of the films. The bandgap for CuIn1-xGaxSe2 thin films with x = 0.34 was 1.256 eV, 1.256 eV and 1.237 eV at the temperatures 20, 80 and 300 K, whereas for x = 0.41 Eg was 1.387 eV, 1.377 eV and 1.290 eV, respectively. The detected effect of the anomalously large temperature shift of 97 meV of the optical band gap of CuIn1-xGaxSe2 solid solution with х = 0.41 is due to thermal redistribution of charge carriers at energy levels in potential wells of the allowed bands due to presence of space composition fluctuations and electrostatic potential fluctuations in the film |
| Доп. сведения: | Свойства, диагностика и применение полупроводниковых материалов и структур на их основе |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/292796 |
| ISBN: | 978-985-881-440-3 |
| Финансовая поддержка: | Работа выполнена по программе ГПНИ «Материаловедение, новые материалы и технологии», подпрограмма 8.1 (задание 1.4.4) |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | 2022. Материалы и структуры современной электроники |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.