Logo BSU

Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292760
Заглавие документа: Отжиг парамагнитных дефектов в интервале температур 430–900 °C в образцах ДНА высокой степени очистки
Другое заглавие: Annealing of paramagnetic defects in the temperature interval 430–900 °C in highly purified bottom samples / A. N. Oleshkevich, V. Yu. Dolmatov, T. M. Lapchuk, N. M. Lapchuk
Авторы: Олешкевич, А. Н.
Долматов, В. Ю.
Лапчук, Т. М.
Лапчук, Н. М.
Тема: ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика
Дата публикации: 2022
Издатель: Минск : БГУ
Библиографическое описание источника: Материалы и структуры современной электроники : материалы X Междунар. науч. конф., Минск, 12–14 окт. 2022 г. / Белорус. гос. ун-т ; редкол.: В. Б. Оджаев (гл. ред.) [и др.]. – Минск : БГУ, 2022. – С. 490-494.
Аннотация: Методом ЭПР исследованы образцы детонационного наноалмаза, отожжённые при температурах 430, 650 и 900 °С. Изучались зависимости основных параметров спектров ЭПР от температуры отжига и от уровня мощности СВЧ излучения в резонаторе. Выявлены структурные перестройки в зависимости от температуры отжига. В ходе анализа данных косвенно было доказано наличие Р1-центра в исследуемых образцах
Аннотация (на другом языке): Samples of detonation nanodiamond annealed at temperatures of 430, 650, and 900 °C were studied by the EPR method. The dependences of the main parameters of the EPR spectra on the annealing temperature and on the power level of microwave radiation in the resonator were studied. Structural rearrangements depending on the annealing temperature are revealed. During the analysis of the data, the presence of the P1-center in the studied samples was indirectly proved
Доп. сведения: Нанотехнологии, наноструктуры, квантовые явления. Наноэлектроника. Приборы на квантовых эффектах
URI документа: https://elib.bsu.by/handle/123456789/292760
ISBN: 978-985-881-440-3
Лицензия: info:eu-repo/semantics/openAccess
Располагается в коллекциях:2022. Материалы и структуры современной электроники

Полный текст документа:
Файл Описание РазмерФормат 
490-494.pdf435,4 kBAdobe PDFОткрыть
Показать полное описание документа Статистика Google Scholar



Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.