Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот документ:
https://elib.bsu.by/handle/123456789/286149| Заглавие документа: | Формирование эпитаксиальных слоев 3C-SiC на Si методом быстрой вакуумно-термической обработки |
| Другое заглавие: | Formation of epitaxial 3C-SiC layers on Si by rapid vacuum thermal processing / M. V. Lobanok, S. L. Prakopyeu, M. A. Makhavikou, O. V. Korolik, P. I. Gaiduk |
| Авторы: | Лобанок, М. В. Прокопьев, С. Л. Моховиков, М. А. Королик, О. В. Гайдук, П. И. |
| Тема: | ЭБ БГУ::ЕСТЕСТВЕННЫЕ И ТОЧНЫЕ НАУКИ::Физика |
| Дата публикации: | 2022 |
| Издатель: | Минск : БГУ |
| Библиографическое описание источника: | Журнал Белорусского государственного университета. Физика = Journal of the Belarusian State University. Physics. – 2022. – № 2. – С. 79-86 |
| Аннотация: | Представлены результаты исследования структуры и фазового состава эпитаксиальных слоев карбида кремния (SiC), сформированных на кремниевых подложках с ориентацией (100) при быстрой вакуумно-термической обработке. Методами просвечивающей электронной микроскопии установлено образование эпитаксиальных слоев кубического политипа SiC (3C-SiC) на кремнии в процессе карбидизации при 1100 °С в течение 30 с при использовании в качестве источника углерода газовой смеси пропана (10 %) и аргона (90 %). Обнаружено формирование монокристаллического 3С-SiC с поликристаллическими включениями и двойниками по всем возможным плоскостям {111}. Достаточно узкая полоса 793 см–1 поперечной оптической фононной моды SiC в спектре комбинационного рассеяния света подтверждает образование 3С-SiC. Отмечено, что наличие спектральной линии 180 см–1 и полуширина полосы 793 см–1 в спектре комбинационного рассеяния света свидетельствуют о присутствии дефектов деформации в SiC. |
| Аннотация (на другом языке): | The results of a study of the structure and phase composition of epitaxial layers of silicon carbide (SiC) formed on silicon substrate with orientation (100) under rapid vacuum thermal processing are presented. Planar-view transmission electron microscopy investigation revealed the formation of epitaxial layers of cubic polytype SiC (3C-SiC) on silicon in the process of carbidisation at 1100 °C during 30 s, using a gas mixture of propane (10 %) and argon (90 %) as a carbon source. The formation of a monocrystalline 3C-SiC with polycrystalline inclusions and twins on all possible planes {111} was found. A rather narrow band of 793 cm–1 transverse optical phonon mode SiC on Raman spectra confirms the formation of a cubic polytype SiC. It is noted that the presence of a 180 cm–1 spectral line and a 793 cm–1 half-width band on Raman spectra indicate the presence of deformation defects in SiC. |
| Доп. сведения: | Исследование выполнено в рамках проекта Т22-030 Белорусского республиканского фонда фундаментальных исследований, а также частично проекта 3.1.2 государственной программы научных исследований «Фотоника и электроника для инноваций» (№ гос. регистрации 20212702). = This work was supported by the framework of the project T22-030 of the Belarusian Republican Foundation for Fundamental Research, as well as, in part, the project 3.1.2 of the state program of scientific research «Photonics and electronics for innovation» (No. 20212702). |
| URI документа: | https://elib.bsu.by/handle/123456789/286149 |
| ISSN: | 2520-2243 |
| DOI документа: | 10.33581/2520-2243-2022-2-79-86 |
| Лицензия: | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Располагается в коллекциях: | Кафедра физики твердого тела и нанотехнологий (статьи) 2022, №2 |
Все документы в Электронной библиотеке защищены авторским правом, все права сохранены.